半导体成分检测

检测项目

半导体成分检测主要包含四大核心项目：基础元素定量分析、掺杂元素浓度测定、表面污染物鉴定以及晶体结构表征。基础元素分析聚焦硅基材料纯度验证（≥99.9999%），涵盖氧、碳等间隙原子含量测定；掺杂元素检测针对硼/磷/砷等注入离子进行深度分布解析；表面污染物检测需识别金属残留（如Fe、Cu）、有机物膜层及颗粒物；晶体结构表征则通过缺陷密度、晶格常数等参数评估外延层质量。

检测范围

检测对象覆盖半导体全产业链材料体系：1. 单晶硅锭/晶圆（直径300mm以下）的体材料分析；2. III-V族化合物半导体（GaAs、GaN）的组分梯度测量；3. 高k介质层（HfO₂）的化学计量比验证；4. 金属互联层（Cu/Co合金）的界面扩散监测；5. 封装材料（EMC环氧树脂）的卤素含量控制。特殊场景包括量子阱超晶格结构的层厚测定（精度±0.1nm）及2D材料（MoS₂）的层数统计。

检测方法

主流分析方法分为破坏性与非破坏性两类：二次离子质谱（SIMS）可实现5nm深度分辨率的三维元素成像；X射线光电子能谱（XPS）用于表面3nm内化学态分析；透射电镜（TEM）配套EDS可定位亚微米级缺陷成分；辉光放电质谱（GD-MS）达到0.01ppb检出限的体材料杂质筛查。非接触式技术包含微区拉曼光谱（缺陷识别率＞90%）与傅里叶红外光谱（FTIR）的键合结构解析。

检测仪器

标准实验室配置包含：1. 高分辨电感耦合等离子体质谱仪（HR-ICP-MS），配备激光剥蚀系统实现空间分辨率10μm的二维元素分布；2. 场发射扫描电镜（FE-SEM）配合电子背散射衍射（EBSD）模块，可同步获取形貌与晶体取向数据；3. X射线衍射仪（XRD）采用四晶单色器将角度分辨率提升至0.0001°；4. 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）配置簇离子源，有效降低有机分子碎片化程度。辅助设备包含超净样品制备台（Class 1级洁净度）与低温冷却系统（-196℃液氮环境）。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。