氮化镓充电器检测

检测项目

氮化镓充电器质量验证包含五大核心模块：

电气性能测试：输入/输出特性曲线测绘（含PPS协议兼容性）、转换效率图谱分析（20%-100%负载）、输出纹波噪声（峰峰值≤200mV）、动态负载响应时间（＜500μs）

安全性能验证：耐压测试（3000VAC/60s）、绝缘电阻（≥100MΩ@500VDC）、接地连续性（≤0.1Ω）、过流保护阈值偏差（±5%）、异常温升监测（外壳≤95℃）

热管理评估：持续满载工况下GaN器件结温监控（红外热成像+热电偶）、散热结构热阻计算（θja≤40℃/W）、高温老化试验（85℃/1000h）

电磁兼容测试

材料分析：PCB基材CTI等级判定（≥600V）、GaN芯片X射线成像、焊点机械强度测试（10N拉力保持60s）

检测范围

适用产品类型包括但不限于：

功率等级：30W单口至200W多口智能分配型

接口配置：USB-C PD3.1/QC5.0协议适配型、USB-A多协议兼容型

拓扑结构：ACF有源钳位反激式、LLC谐振式方案

应用场景：智能手机快充模块、笔记本电脑电源适配器、车载应急充电设备

特殊形态：折叠插脚式、桌面多口阵列式、GaN+SiC混合拓扑方案

检测方法

输入特性测试：依据IEC 62684标准搭建测试平台，使用可编程交流源模拟90-264VAC输入范围，记录启动冲击电流波形（峰值≤30A@230VAC）

效率测绘：采用四线制功率分析仪（精度0.05%），在25℃环境温度下记录10%-100%负载区间效率曲线，要求平均效率≥92%@额定输出

协议兼容性验证：通过PD协议分析仪模拟不同设备握手过程，验证28V PPS档位调整步进精度（±50mV）及SCP/FCP/PE等私有协议触发逻辑

失效模式分析：使用半导体参数分析仪测量GaN HEMT器件阈值电压漂移量（ΔVth≤0.3V@1000h老化），结合SEM观察栅极金属层退化情况

机械耐久性测试：执行插拔寿命试验（≥10,000次），采用三维力传感器监测USB-C接口插拔力度变化曲线（初始值8-20N）

检测仪器

电气参数测量系统： - 高精度示波器（带宽≥500MHz, 采样率5GS/s） - 多通道电子负载模块（分辨率1mA） - 交直流电源质量分析仪（符合IEC 61000-3-2标准）

安全测试设备： - 全自动耐压绝缘测试仪（0-5kV可调） - 接地电阻测试台（四端子法） - 燃烧试验装置（UL94 V-0等级判定）

热特性分析平台： - 红外热像仪（热灵敏度≤50mK） - 多路温度巡检仪（K型热电偶接口） - 加速老化试验箱（温控精度±1℃）

EMC测试系统： - EMI接收机（9kHz-18GHz） - GTEM小室辐射骚扰测试系统 - ESD模拟发生器（30kV可调）

材料表征仪器： - X射线荧光光谱仪（元素分析精度ppm级） - 扫描电子显微镜（放大倍数10万倍） - 热机械分析仪（TMA分辨率0.1μm）

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。