半导体薄膜精密检测

检测项目

厚度均匀性：测量纳米级膜厚分布及梯度变化

表面形貌分析：表征表面粗糙度（Ra/Rq）、缺陷密度及颗粒污染

晶体结构表征：XRD测定晶格常数、结晶度及取向分布

电学性能测试：包括载流子迁移率、电阻率及介电常数测量

界面特性分析：检测薄膜-基底界面扩散层及应力分布

化学组分验证：确定元素组成比例及掺杂浓度分布

检测范围

材料类型：硅基薄膜（多晶硅/非晶硅）、III-V族化合物半导体（GaN/AlGaN）、氧化物半导体（IGZO）

工艺阶段：PVD/CVD沉积膜层、外延生长层、光刻胶剥离后表面

器件应用：逻辑芯片栅极介质层、存储单元阻变层、MEMS传感器功能层

结构特征：单层/多层堆叠结构、纳米线/量子点复合薄膜

缺陷尺度：亚微米级针孔缺陷至原子级晶格畸变

检测方法

光谱椭偏仪：基于偏振光干涉原理的非破坏性膜厚测量

原子力显微镜（AFM）：纳米级三维表面形貌重构与粗糙度量化

透射电子显微镜（TEM）：原子分辨率晶体结构及界面分析

四探针电阻测试：面内电阻率与方阻值精确测定

X射线光电子能谱（XPS）：表面化学态及元素深度剖析

拉曼光谱：应力分布与非晶/晶相比例测定

霍尔效应测试：载流子浓度与迁移率参数提取

检测仪器

膜厚测量系统：J.A. Woollam M-2000V型宽光谱椭偏仪（波长范围190-1700nm）

表面分析设备：Bruker Dimension Icon原子力显微镜（分辨率0.1nm）

微观结构分析：FEI Talos F200X场发射透射电镜（点分辨率0.16nm）

电学测试平台：Keithley 4200A-SCS参数分析仪（电流分辨率10fA）

成分分析系统：Thermo Scientific K-Alpha X射线光电子能谱仪（能量分辨率<0.5eV）

应力测试装置：Toho Technology FLX-2320薄膜应力测量仪（精度±0.5MPa）

环境控制模块：联用高真空探针台（基础真空度5×10⁻⁶ Torr）

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。