锗基化合物外延片性能检测

检测项目

晶体结构完整性、晶格常数偏差率、位错密度、表面粗糙度（Ra/Rq）、薄膜厚度均匀性、载流子浓度（n/p型）、迁移率（μ）、电阻率（ρ）、缺陷密度分布、界面态密度、热膨胀系数匹配度、应力分布梯度、元素组分比例（Ge/Si/GeSn）、掺杂浓度精度、光致发光谱特征、X射线双晶摇摆曲线半高宽（FWHM）、腐蚀速率各向异性、热稳定性（ΔT）、界面扩散层厚度、击穿电场强度（Ebr）、少子寿命（τ）、深能级瞬态谱（DLTS）特征峰、二次离子质谱（SIMS）深度剖面、俄歇电子能谱（AES）界面分析、椭圆偏振光谱（SE）光学常数、透射电子显微镜（TEM）位错观测、阴极荧光（CL）发光效率、拉曼光谱应变分析、接触角表面能测试、台阶仪膜厚测量

检测范围

Ge/Si异质结外延片、GeSn/Si应变超晶格结构、GeOI绝缘体上锗薄膜、GeAs复合缓冲层外延片、GeSiC三元合金外延层、掺杂B/In/P/Sb的n/p型Ge外延片、MBE生长Ge量子点结构、MOCVD制备Ge薄膜太阳能电池基板、LPCVD沉积Ge纳米线阵列、等离子体增强ALD超薄Ge层、SOI基锗基光电集成外延片、SiGe/Ge多量子阱结构、应变弛豫Ge虚衬底材料、Ge基HEMT器件外延结构、Ge衬底GaAs异质集成材料、Ge基红外探测器外延堆叠层、GeTe相变存储薄膜材料、Ge基MEMS压力传感器功能层、Ge基辐射探测器耗尽层材料、选择性外延生长（SEG）局部锗层、图形化衬底外延缺陷控制样品、低温外延生长界面混合样品、高迁移率沟道层优化样品、超晶格热导率调控样品、异质界面缺陷修复处理样品、退火工艺优化对比样品、金属有机物前驱体残留测试样品

检测方法

1. 高分辨率X射线衍射（HRXRD）：采用Cu-Kα辐射源（λ=1.5406），通过ω-2θ扫描获取(004)晶面衍射峰位偏移量计算晶格失配度
2. 透射电子显微镜（TEM）：制备<100nm超薄样品后使用200kV场发射电镜观察位错线走向及界面原子排列
3. 霍尔效应测试：在0.55T磁场下采用范德堡法测量载流子浓度与迁移率
4. 原子力显微镜（AFM）：接触模式下5μm5μm扫描区域获取表面粗糙度RMS值
5. 二次离子质谱（SIMS）：用Cs+离子束溅射获得B/P/Sb掺杂元素的深度分布曲线
6. 深能级瞬态谱（DLTS）：在80-400K温区通过电容瞬态分析捕获界面态密度
7. 椭圆偏振光谱（SE）：采用可变角入射（55-75）拟合获得光学常数与膜厚
8. 微区拉曼光谱：532nm激光激发下通过峰位偏移量计算局部应变分布
9. 四探针电阻率测试：ASTMF84标准规定探针间距1mm测量薄层电阻
10. 台阶轮廓仪：机械探针扫描10mm行程测量膜厚均匀性误差

检测标准

1. ASTMF1392-18硅锗合金中载流子浓度的标准测试方法
2. ISO14707:2015表面化学分析-辉光放电发射光谱法通则
3. GB/T35097-2018半导体材料中位错密度的X射线衍射测定方法
4. IEC60749-27:2019半导体器件热特性测量方法
5. JISH0605:2017硅单晶中杂质浓度的红外吸收测定方法
6. SEMIMF397-1109外延层厚度测量的红外反射法
7. DINEN60749-4:2017半导体器件机械和环境试验方法
8. GB/T32281-2015纳米薄膜厚度测量方法X射线反射法
9. ISO21222:2020表面化学分析-原子力显微镜测定纳米级尺寸
10. ASTME112-13平均晶粒度测定的标准试验方法

检测仪器

1. 高分辨率X射线衍射仪：配备四晶单色器与二维探测器阵列的PANalyticalX'PertPROMRD系统
2. 场发射透射电镜：JEOLJEM-ARM300F配备球差校正器与EDS能谱仪
3. 低温强磁场霍尔测试系统：LakeShore8400系列配合0.5T超导磁体与真空探针台
4. 原子力显微镜：BrukerDimensionIcon配备ScanAsyst自适应扫描模式
5. 二次离子质谱仪：CAMECAIMS7f-auto实现ppb级杂质灵敏度深度剖析
6. 深能级瞬态谱仪：PhysTechFT1230H系统支持双相相关信号处理技术

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。