电子产品砷铍锑质谱法检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-05-29  

检测项目砷总量、可溶性砷、三价砷化合物、五价砷化合物、金属铍、氧化铍、铍合金残留物、可迁移铍离子、锑单质、三氧化二锑、五氧化二锑、有机锑化合物、铅同位素比值、镉总量、六价铬迁移量、汞蒸气释放量、多溴联苯醚(PBDE)、多溴联苯(PBB)、邻苯二甲酸酯类(6P)、短链氯化石蜡(SCCP)、全氟化合物(PFAS)、镍释放量、钴迁移量、硒化合物形态分析、钡溶出量、铊元素总量、铀系放射性核素、钍系放射性核素、稀土元素配分分析、纳米银颗粒浓度。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

砷总量、可溶性砷、三价砷化合物、五价砷化合物、金属铍、氧化铍、铍合金残留物、可迁移铍离子、锑单质、三氧化二锑、五氧化二锑、有机锑化合物、铅同位素比值、镉总量、六价铬迁移量、汞蒸气释放量、多溴联苯醚(PBDE)、多溴联苯(PBB)、邻苯二甲酸酯类(6P)、短链氯化石蜡(SCCP)、全氟化合物(PFAS)、镍释放量、钴迁移量、硒化合物形态分析、钡溶出量、铊元素总量、铀系放射性核素、钍系放射性核素、稀土元素配分分析、纳米银颗粒浓度。

检测范围

集成电路封装材料、半导体晶圆表面镀层、焊锡膏合金成分、PCB基板阻燃涂层、锂电池电极材料、电容器电解质溶液、LED荧光粉混合物、连接器镀金层杂质、电磁屏蔽复合薄膜、导热硅脂填充剂、手机外壳电镀层析出物、耳机振膜高分子材料、显示屏偏光膜粘合剂、键盘按键硅胶挥发物、电源适配器磁芯组分、光纤涂层掺杂剂残留、传感器敏感膜材料降解产物、无线充电线圈绝缘漆膜析出物、柔性电路板聚酰亚胺基材热解产物、太阳能电池背板EVA胶膜老化产物。

检测方法

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)通过高频感应电场形成高温等离子体电离样品,结合四级杆质量分析器实现ppb级痕量元素定量分析。

激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱联用技术(LA-ICP-MS)采用266nm脉冲激光直接气化固体样品表面微区物质,适用于镀层成分的纵向分布研究。

高效液相色谱-质谱联用法(HPLC-MS)通过C18反相色谱柱分离有机砷形态化合物后进入质谱定量系统。

微波消解-氢化物发生原子荧光光谱法(HG-AFS)利用硼氢化钾还原生成砷化氢气体进行元素形态特异性测定。

X射线光电子能谱法(XPS)通过测量光电子动能确定材料表面5nm深度内元素化学价态。

检测标准

GB/T26125-2011电子电气产品中限用物质的筛选检测通则

IEC62321-8:2017电工产品中特定物质的测定第8部分:ICP-MS测定聚合物中的金属

EPA6020B-2014电感耦合等离子体质谱法测定水与固体样品中痕量元素

ISO17294-2:2016水质-电感耦合等离子体质谱法应用指南

SJ/T11365-2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求

EN71-3:2019玩具安全第3部分:特定元素的迁移

ASTMD7439-14塑料材料中重金属含量的ICP-MS测试方法

JISC0950:2008电子设备中特定化学物质的标示方法

GB/T39560.1-2020电子电气产品中某些物质的测定第1部分:机械拆分方法

RoHSDirective2011/65/EU电气电子设备中限制使用有害物质指令

检测仪器

三重四级杆质谱仪(TripleQuadrupoleMS)通过串联质量分析器实现MS/MS模式下的干扰消除与低丰度同位素精准测量。

动态反应池质谱系统(DRC-ICP-MS)采用反应气体消除ArCl+对As+的质谱干扰。

飞行时间质谱仪(TOF-MS)利用离子飞行时间差异实现全质量数同步扫描与未知物筛查。

激光剥蚀进样系统配备5轴精密位移平台实现50μm级定位精度与三维成分成像。

微波消解工作站采用高压密闭容器完成有机基体样品的快速完全分解。

超净实验室配备HEPA过滤系统与正压环境控制将背景污染降至0.1pg/m水平。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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