太阳能硅片粗糙度检测

检测项目

Ra（算术平均粗糙度）、Rz（最大高度粗糙度）、Rq（均方根粗糙度）、Rt（总高度）、Rp（峰高）、Rv（谷深）、Rsk（偏斜度）、Rku（峰度）、Wt（波纹度总高度）、Wa（算术平均波纹度）、Pc（峰计数）、Sm（平均间距）、λa（平均波长）、Δq（均方根斜率）、Rmax（最大峰谷高度）、R3z（三峰谷平均高度）、Rmr（材料比曲线）、Rdc（轮廓深度）、Rda（算术平均深度）、Rdq（均方根深度）、Rlo（局部粗糙度）、Rlm（平均局部粗糙度）、Rlr（相对局部粗糙度）、Rls（局部粗糙度标准差）、Rlt（总局部粗糙度）、Rlu（局部峰高）、Rlv（局部谷深）、Rlw（局部波纹度）、Rlx（局部波长）、Δa（算术平均斜率）

检测范围

单晶P型太阳能硅片、多晶N型太阳能硅片PERC电池用单晶硅片HJT电池用单晶硅片TOPCon电池用多晶硅片IBC电池用单晶硅片黑金刚线切割单晶硅砂浆切割多晶抛光纹理化抗反射涂层金属化边缘倒角薄型厚度小于150μm厚型厚度大于200μmM2尺寸G1尺寸M6尺寸M10尺寸G12尺寸面内均匀性测试样边缘区域测试中心区域测试缺陷区域腐蚀后清洗后退火后激光刻槽丝网印刷烧结后

检测方法

接触式测量法采用触针式轮廓仪直接扫描样品表面生成二维或三维轮廓数据通过金刚石探针的机械位移计算Ra和Rt值适用于高精度静态环境但可能引入微划痕需校准探针磨损。

非接触式光学干涉法利用白光或激光干涉仪基于光波干涉原理重建表面形貌可测量纳米级粗糙度和波纹度适用于易损或涂层样品避免物理接触误差需控制环境振动和光照稳定性。

原子力显微镜AFM法通过探针与表面原子力相互作用生成高分辨率三维图像用于纳米级Ra和缺陷分析特别适合超薄或纹理化样品但操作复杂耗时需真空或惰性气体环境。

共聚焦显微镜法使用激光束聚焦扫描获取层析图像计算Sm和λa参数适用于快速大面积检测可集成自动化系统但分辨率受光学衍射限制需定期校准镜头。

扫描电子显微镜SEM法结合能谱分析观察微观形貌辅助评估腐蚀或金属化效果适用于缺陷定位但需样品导电处理无法直接量化参数常作为辅助手段。

检测标准

ISO4287:1997几何产品规范GPS表面结构轮廓法术语定义和表面结构参数

GB/T1031-2009产品几何技术规范GPS表面结构轮廓法术语定义及表面结构参数

ISO4288:1996几何产品规范GPS表面结构轮廓法评估规则和程序

GB/T3505-2009产品几何技术规范GPS表面结构轮廓法术语定义和参数

ISO13565-1:1996几何产品规范GPS分层功能表面第1部分滤波和测量条件

IEC62941:2016地面光伏组件设计鉴定和型式批准

SEMIMF1530扫描探针显微镜测量太阳能板表面粗糙度的标准测试方法

ASTME1127俄歇电子能谱深度剖析标准指南

JISB0601:2013几何产品规范GPS表面结构轮廓法术语定义和参数

ENISO25178-2:2012几何产品规范GPS表面结构区域法第2部分术语定义

检测仪器

触针式轮廓仪通过金刚石探针沿样品表面移动记录位移信号转换为Ra和Rt值应用于实验室静态环境精度达0.01μm需定期校准探针并控制温湿度。

白光干涉仪利用相干光干涉条纹重建三维形貌可测量Wt和λa参数适用于生产线在线监测速度高效但易受振动干扰需配备防震台。

原子力显微镜AFM基于探针悬臂偏转成像提供纳米级分辨率的Ra和缺陷数据用于研发级分析支持真空环境操作维护成本较高。

激光共聚焦显微镜通过点扫描获取层析图像计算Sm和Pc值适用于大面积快速筛查常集成自动化平台减少人为误差。

扫描电子显微镜SEM结合能谱仪观察微观结构辅助评估腐蚀均匀性用于故障分析需镀金处理样品以增强导电性。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。