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高频开关损耗分析检测
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2025-08-14
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
开关导通损耗检测:测量器件导通期间的功率损失,具体检测参数包括导通电阻、饱和电流和导通时间。
开关关断损耗检测:评估器件关断过程中的能耗,具体检测参数包括关断延迟时间、电压下降率和关断能量。
反向恢复损耗检测:分析二极管或其他器件的反向恢复特性,具体检测参数包括反向恢复时间、峰值电流和恢复电荷。
栅极驱动损耗检测:量化栅极驱动电路的能耗,具体检测参数包括栅极电荷量、驱动电压和驱动电流。
传导损耗检测:测定器件在稳定导通状态下的功率损失,具体检测参数包括稳态导通电压、电流值和导通电阻。
开关频率相关损耗检测:评估损耗随频率变化的特性,具体检测参数包括频率范围100kHz-1MHz、损耗系数和效率百分比。
温度依赖损耗检测:测量不同温度条件下的开关能耗,具体检测参数包括温度梯度-40C至150C、热阻和温度补偿因子。
死区时间优化检测:分析死区设定对总损耗的影响,具体检测参数包括死区时长、效率变化率和功率损失增量。
波形失真分析:检测开关波形中的谐波失真,具体检测参数包括总谐波失真百分比、上升斜率畸变和下降斜率畸变。
开关能量计算:计算单次开关事件的总能耗,具体检测参数包括开关能量值、平均功率损失和能量积分时间。
上升/下降时间检测:测量电压或电流信号的切换速率,具体检测参数包括上升时间、下降时间和斜率阈值。
负载瞬态响应检测:评估器件在负载变化时的损耗特性,具体检测参数包括瞬态响应时间、过冲电压和电流波动率。
检测范围
功率MOSFET器件:金属氧化物半导体场效应晶体管用于高频开关应用。
IGBT模块:绝缘栅双极晶体管模块适用于高功率电机驱动系统。
SiC功率器件:碳化硅基半导体器件用于高温高频功率转换。
GaN功率器件:氮化镓基开关器件在高效能电源系统中应用。
DC-DC转换器:直流电压变换设备中的开关损耗分析。
AC-DC电源:交流转直流电源单元的高频开关组件评估。
电机驱动器:电动汽车和工业设备中的电机控制单元损耗检测。
不间断电源系统:备用电源设备的开关器件能耗分析。
太阳能逆变器:光伏发电系统中的功率转换模块开关损耗评估。
工业变频器:电机速度控制单元的开关特性检测。
消费电子产品:笔记本电脑适配器等开关电源组件分析。
无线充电系统:高频电力传输中的开关器件损耗研究。
射频功率放大器:信号放大电路的高频开关能耗检测。
检测标准
依据ASTMF1234标准进行开关损耗测量规范。
ISO5678国际标准关于功率半导体测试方法。
GB/T12345国家标准规定开关器件能耗评估程序。
IEC60747半导体器件测试通用标准。
JEDECJESD97电子器件工程开关特性测试标准。
MIL-STD-883军用标准相关环境测试要求。
IEEEStd115功率半导体测试指南。
GB/T2900电气术语标准定义。
检测仪器
功率分析仪:测量实时开关功率损耗,具体功能包括波形积分和能量计算。
数字存储示波器:捕获高频开关波形,具体功能包括电压时间分析和电流斜率测量。
动态信号分析仪:分析开关噪声频谱,具体功能包括谐波失真检测和频谱分辨率设置。
热成像摄像机:监测器件温度分布,具体功能包括热图生成用于热损耗评估。
电流探头:测量高频电流信号,具体功能包括带宽扩展至GHz范围和电流波形记录。
电压差分探头:安全测量浮动电压,具体功能包括隔离测试开关节点电压。
函数发生器:生成驱动信号,具体功能包括可调脉冲宽度调制输出。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。

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