微电子X射线缺陷探测检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-08-14  

微电子X射线缺陷探测检测采用非破坏性X射线技术分析微电子器件内部结构。检测要点涵盖内部空隙识别、焊接缺陷分析、异物探测等,涉及高分辨率成像、精确尺寸测量和材料完整性验证。专业检测过程遵循国际和国内标准,确保器件可靠性和性能评估。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

内部空隙检测:识别微电子器件中气孔或空洞缺陷。具体检测参数:最小可检测尺寸0.5μm,分辨率10μm。

焊接缺陷分析:检查焊接点裂纹或虚焊问题。具体检测参数:定位精度5μm,灵敏度0.1mm。

异物探测:检测封装内金属或非金属颗粒。具体检测参数:最小异物尺寸1μm,识别范围1-100μm。

分层缺陷验证:分析材料界面分离现象。具体检测参数:层厚测量精度2μm,缺陷深度分辨率10μm。

连线断裂识别:探测导线或互联断裂故障。具体检测参数:最小线宽可测5μm,断裂长度误差10μm。

晶圆表面扫描:检测硅晶圆表面划痕或污染。具体检测参数:扫描速度20mm/s,表面缺陷尺寸下限0.2μm。

封装完整性检查:评估封装密封性和泄漏。具体检测参数:泄漏率检测限0.05ccm,密封缝宽度精度3μm。

组件位置偏差测量:验证器件内部组件对齐。具体检测参数:位置偏移误差1μm,角度偏差精度0.5。

材料厚度测定:测量各层材料厚度分布。具体检测参数:厚度分辨率1μm,测量范围1-1000μm。

污染元素分析:识别污染物类型和浓度。具体检测参数:元素检出限0.1μg/cm,分布图谱精度5%.

检测范围

集成电路芯片:用于内部晶体管结构缺陷探测。

封装器件:包括QFP和BGA封装焊接质量分析。

PCB板:检测印刷电路板内部层间分离问题。

半导体晶圆:扫描硅晶圆制造过程中的微观缺陷。

MEMS器件:分析微机电系统内部机械结构完整性。

传感器组件:用于光电或压力传感器内部元件检测。

光电子器件:包括LED和激光二极管内部缺陷识别。

功率模块:检测IGBT模块散热层和连接点问题。

电子连接器:分析引脚焊接和内部接触可靠性。

封装材料:如环氧树脂或陶瓷基板的内部空隙验证。

检测标准

ASTME1445标准规定X射线检测方法。

ISO19232标准定义工业射线照相技术要求。

GB/T12604.11标准规范无损检测应用。

IPC-A-610标准涉及电子组件可接受性准则。

JESD22-B101标准覆盖半导体封装测试程序。

MIL-STD-883标准指定微电子可靠性测试

EN12668标准提供无损检测性能要求。

检测仪器

高分辨率X射线成像系统:设备生成精细X射线束进行内部结构可视化。在本检测中实现缺陷成像和尺寸测量。

微焦点X射线管:仪器产生高功率X射线源用于放大检测。在本检测中支持高倍率缺陷识别和分辨率控制。

数字探测器阵列:装置捕获X射线透射图像并数字化处理。在本检测中提供实时成像和图像分析功能。

自动缺陷识别软件:系统利用算法自动分析X射线图像。在本检测中执行缺陷分类和量化统计。

三维X射线显微镜:设备重建三维内部结构模型。在本检测中实现缺陷体积计算和层析分析。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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