漏源击穿电压测试检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-08-15  

漏源击穿电压测试是评估半导体器件绝缘性能的关键检测方法,通过施加递增电压测量击穿点和漏电流特性。检测要点包括电压控制精度、环境参数监测和数据采集可靠性,应用于电子元器件质量控制。该测试确保器件在额定条件下不发生电介质击穿失效。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

漏源击穿电压:测量器件在漏源路径上的击穿电压值。具体检测参数包括击穿电压阈值和最大允许电压范围。

静态漏电流:在稳定电压下监测漏电流大小。具体检测参数包括电流最小值和稳态变化率。

动态漏电流响应:施加瞬态电压变化时记录漏电流行为。具体检测参数包括响应时间和峰值电流偏移。

击穿时间测定:从电压施加到击穿发生的时间间隔测量。具体检测参数包括延迟时间和平均击穿周期。

温度依赖性测试:在不同温度环境下进行击穿电压评估。具体检测参数包括温度系数和热稳定性指标。

湿度影响分析:在高湿度条件下测试绝缘性能变化。具体检测参数包括湿度水平影响和击穿电压偏移量。

电压斜坡速率验证:以不同变化速率施加电压至击穿点。具体检测参数包括斜坡速率设置和击穿电压对应关系。

重复性一致性检测:多次重复测试评估结果稳定性。具体检测参数包括标准偏差和变异系数。

绝缘电阻测量:在击穿前测量材料电阻特性。具体检测参数包括电阻最小阈值和范围限制。

电流限制保护测试:施加电流约束条件下的击穿验证。具体检测参数包括电流限制值和保护机制触发点。

环境应力组合测试:结合温度循环与电压施加评估失效模式。具体检测参数包括应力水平设置和失效判据。

电压保持能力:在击穿后测试器件恢复特性。具体检测参数包括保持电压值和恢复时间。

检测范围

MOSFET器件:功率金属氧化物半导体场效应晶体管绝缘性能验证。

IGBT模块:绝缘栅双极晶体管在高功率应用中的可靠性测试

二极管阵列:整流和开关二极管组件的漏电保护评估。

电容器:电解电容和陶瓷电容的绝缘层击穿特性检测。

印刷电路板:多层PCB的层间绝缘和电压耐受能力测试。

太阳能电池组件:光伏模块的漏电流和击穿防护验证。

LED封装:发光二极管热管理系统的绝缘性能分析。

医疗电子设备:植入式器械如起搏器的半导体可靠性检测。

汽车电子系统:发动机控制单元的电压耐受和环境适应性测试。

消费电子产品:智能手机电源管理芯片的绝缘失效预防。

航空航天电子:飞行控制系统的高压部件绝缘验证。

工业控制模块:PLC和驱动器的电介质击穿风险评估。

检测标准

IEC 60749-26半导体器件机械和气候测试方法。

JESD22-A108电子器件电压耐久性测试标准。

MIL-STD-883微电子器件环境试验方法。

GB/T 2423.10电工电子产品环境试验规范。

ISO 16750-2道路车辆电气设备环境条件测试。

ASTM D149固体电绝缘材料介电击穿电压测试标准。

GB/T 17626.2电磁兼容试验和测量技术规范。

IEC 61000-4-2静电放电抗扰度测试方法。

检测仪器

高压电源:提供可调直流电压源,用于施加递增测试电压至击穿点。

漏电流测试仪:测量纳安级别微小电流变化,监测静态和动态漏电流特性。

击穿检测系统:自动识别电压击穿事件并记录相关参数,确保数据采集精度。

环境试验箱:控制温度和湿度条件,模拟不同环境进行加速可靠性测试。

数字存储示波器:捕获电压和电流波形变化,分析瞬态响应和击穿时间。

高精度万用表:测量电阻和电压参数,验证绝缘电阻和阈值一致性。

温度控制器:精确调节测试环境温度,支持温度依赖性分析。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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