项目数量-9
低温介电性能测试检测
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2025-08-27
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
介电常数(低温):测量材料在低温环境下储存电场能量的能力,反映电介质极化的难易程度。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,频率1kHz~1MHz,测量精度±1%。
介质损耗因数(低温):表征材料在交变电场中因极化滞后产生的能量损耗,影响绝缘材料的高频性能。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,频率1kHz~1MHz,测量精度±0.5%。
体积电阻率(低温):评估材料在低温下传导电流的能力,反映绝缘材料的直流绝缘性能。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,测试电压100V~1000V,测量精度±2%。
直流击穿强度(低温):测定材料在低温下承受直流电压击穿的临界值,用于评估绝缘材料的电气强度。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,升压速率1kV/s~5kV/s,击穿电压测量范围10kV~500kV/mm。
交流耐电压(低温):测试材料在低温下承受规定频率交流电压的耐受能力,验证绝缘结构的可靠性。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,频率50Hz~1000Hz,试验电压1kV~100kV,持续时间60s。
介电温谱:获取介电常数、介质损耗因数随温度变化的连续曲线,分析材料极化机制的温度依赖性。具体检测参数:温度扫描速率0.1℃/min~5℃/min,温度点间隔1℃~10℃,频率1kHz~100kHz。
极化弛豫时间(低温):测量材料在低温下极化过程的时间响应,反映偶极子运动的冻结或激活特性。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,电场强度0.1MV/m~10MV/m,弛豫时间测量范围1e-12s~1e-3s。
表面电阻率(低温):表征材料表面传导电流的能力,影响静电防护性能。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,测试电压100V~500V,测量精度±3%。
静电衰减时间(低温):记录材料在低温下电荷消散至初始值37%所需的时间,评估静电防护效率。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,初始电荷密度1nC/m²~1μC/m²,时间分辨率0.1ms~10ms。
介电色散特性(低温):分析介电常数随频率变化的规律,揭示材料内部极化过程的频率响应机制。具体检测参数:频率范围10Hz~10GHz,温度范围-196℃~25℃,介电常数变化范围±5%。
局部放电起始电压(低温):确定材料在低温下发生局部放电的最低电压值,用于评估绝缘内部缺陷的敏感性。具体检测参数:温度范围-196℃~25℃,放电量检测阈值1pC~100pC,升压速率0.5kV/s~2kV/s。
检测范围
高分子聚合物:如聚酰亚胺薄膜、聚乙烯醇缩丁醛,用于低温电子器件封装,需评估低温下介电稳定性。
陶瓷材料:包括氧化铝陶瓷、氮化硼陶瓷,应用于低温传感器电极,需检测低温绝缘性能。
复合绝缘材料:如环氧玻璃布板、聚酯薄膜/铝箔复合膜,用于低温电缆绝缘层,需测试低温介电强度。
低温电子器件:如超导量子干涉仪(SQUID)的铌钛合金导线,需分析低温下介电损耗对信号传输的影响。
航空航天低温结构件:如卫星天线支撑结构的碳纤维复合材料,需评估低温环境下的介电温谱特性。
电力设备低温绝缘件:如液化天然气管道的低温电缆终端,需检测低温体积电阻率和击穿强度。
传感器材料:如锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷传感器,用于低温压力测量,需测试介电色散和极化弛豫时间。
低温储能材料:如低温超级电容器的活性炭电极材料,需分析介电常数对储能密度的贡献。
光纤通信低温元件:如低温环境下的光纤跳线连接器,需测量表面电阻率和静电衰减时间。
半导体低温封装材料:如低温焊球阵列(LGA)封装的硅基芯片,需评估低温介电常数对信号延迟的影响。
低温超导材料:如钇钡铜氧(YBCO)涂层导体,用于超导磁体绕组,需检测低温下的介电损耗特性。
检测标准
ASTMD150-18:JianCeTestMethodsforACLossCharacteristicsandPermittivity(DielectricConstant)ofSolidElectricalInsulation,规定固体电绝缘材料在交流电场下的介电常数和损耗因数测试方法。
IEC60243-1:2013:Insulatingmaterials—Electricalstrengthofinsulatingmaterials—Part1:Testsatpowerfrequencies,规定固体绝缘材料工频介电强度的试验方法,适用于低温环境下的测试条件调整。
GB/T1409-2006:测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法,提供介电常数和介质损耗因数的测量步骤及数据处理要求。
GB/T10064-2006:测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法,规定体积电阻率和表面电阻率的测试条件、仪器要求及结果计算方法。
ASTMD257-14:JianCeTestMethodsforDCResistanceorConductanceofInsulatingMaterials,规定绝缘材料直流电阻或电导的测试方法,适用于低温下的低电阻测量。
ISO6721-1:1999:Plastics—Determinationoftheelectricalpropertiesofinsulatingmaterials—Part1:General,规定塑料介电性能测试的一般原则,包括低温环境下的测试条件控制。
GB/T31838.3-2019:固体绝缘材料介电性能的测量方法第3部分:介电损耗因数(ε'')和损耗角正切(tanδ)的测量,详细说明介电损耗因数的测量方法及低温测试的环境要求。
ASTMD149-2013:JianCeTestMethodforDielectricBreakdownVoltageandDielectricStrengthofSolidElectricalInsulatingMaterials,规定固体电绝缘材料击穿电压和介电强度的测试方法,适用于低温下的高压测试。
IEC60371-3-1:1993:Insulatingmaterials—Volumeresistanceandsurfaceresistance—Part3-1:Methodsoftest—Temperatureandhumidityconditions,规定绝缘材料体积电阻率和表面电阻率的温度、湿度测试条件,包括低温环境的控制要求。
GB/T1693-2007:硫化橡胶介电常数和介质损耗因数(交流电压试验)的测定方法,提供硫化橡胶在交流电场下介电性能的测量方法,适用于低温橡胶材料的测试。
检测仪器
低温恒温槽:提供稳定可控的低温环境,温度范围-196℃~25℃,用于维持被测样品在测试过程中的恒定低温状态,确保介电参数测量的温度准确性。
高低温介电温谱仪:集成温度控制与介电参数测量功能,可在-196℃~25℃范围内自动扫描温度,同步采集介电常数、介质损耗因数随温度变化的连续数据,支持频率1kHz~100kHz可调。
低温高阻计:专为低温环境设计的高阻测量仪器,测量范围10^6Ω~10^18Ω,测试电压100V~1000V,用于低温下材料体积电阻率和表面电阻率的高精度测量。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。

上一篇:交流阻抗频率响应检测
下一篇:辐照损伤加速试验检测