绝缘栅双极晶体管漏电流检测

检测项目

静态漏电流（I_CEO）：在集电极-发射极开路、栅极-发射极短路条件下，测量器件反向饱和电流，反映器件内部缺陷密度。检测参数：电压范围-20V~+20V，电流测量精度±1nA，温度25℃±1℃。

动态漏电流（I_CES）：栅极-发射极短路时，集电极-发射极间的漏电流，表征栅氧化层完整性。检测参数：栅压0V，集电极电压-10V~-1V，电流分辨率0.1nA，测试时间1ms/点。

高温反向漏电流（I_RR）：在150℃~175℃高温下，施加反向偏压（集电极-发射极电压V_CE=-100V），测量反向电流。检测参数：温度精度±2℃，电压稳定性±0.5%，电流测量范围1μA~1mA。

温度循环后漏电流变化率：在-55℃~150℃温度循环（500次）后，对比初始与最终漏电流值，评估热应力下的可靠性。检测参数：循环周期90min，温度变化速率5℃/min，漏电流变化率计算精度±2%。

不同栅压下漏电流特性：施加栅极电压V_GS从-15V到+15V（步长1V），测量对应漏电流I_DSS，分析栅压对漏电流的影响规律。检测参数：栅压扫描速率0.1V/s，电流采样间隔0.01s，电压精度±0.1V。

高频工况下漏电流波动：在100kHz~1MHz正弦波激励下，测量漏电流幅值及相位变化，评估高频应用中的稳定性。检测参数：频率范围100kHz~1MHz，电流测量带宽10MHz，谐波失真度≤0.5%。

湿热环境下的漏电流增量：在温度85℃、相对湿度85%（RH）环境下放置1000h后，测量漏电流相对于初始值的增量。检测参数：温湿度控制精度±1℃/±2%RH，测试周期24h/次，增量计算误差≤1%。

老化试验中的漏电流漂移：在额定电压、电流下持续工作1000h，每小时记录漏电流值，分析长期工作下的性能衰减。检测参数：工作电流精度±0.5%，电压稳定性±0.2%，数据采集间隔1h。

栅极漏电流（I_GSS）：在栅极-源极间施加±20V电压，测量栅极与源极间的漏电流，评估栅介质层的绝缘性能。检测参数：电压范围-20V~+20V，电流测量精度±0.1pA，测试时间100ms/点。

结温关联漏电流：通过红外热像仪或电学法测量结温T_j，建立漏电流I_leak与T_j的经验公式，用于热设计验证。检测参数：结温测量精度±1℃，漏电流采样速率10Hz，温度点覆盖50℃~200℃。

反向恢复漏电流：在开关过程中，测量IGBT关断时CE极间的反向恢复电流峰值及衰减时间，表征开关特性中的漏电流成分。检测参数：电流采样速率100MHz，时间分辨率1ns，电压范围-50V~+50V。

检测范围

功率模块用IGBT芯片：用于电动汽车驱动系统的600V~1200VIGBT芯片，需检测高温、高频工况下的漏电流特性。

汽车级IGBT模块：符合AEC-Q101标准的750V~1700VIGBT模块，应用于车载充电机、DC-DC转换器等场景。

工业变频器用IGBT器件：1200V~2500V耐压等级的IGBT模块，用于工业电机调速系统，需检测温循及湿热环境下的漏电流。

光伏逆变器核心IGBT单元：1500V~2000V高压IGBT模块，针对光伏组串逆变器、集中式逆变器应用，重点检测高温反向漏电流。

轨道交通牵引变流器IGBT组件：3300V~4500V高压IGBT模块，用于高铁、地铁牵引系统，需满足高频开关下的漏电流稳定性要求。

智能电网换流阀IGBT器件：5500V~8500V超高压IGBT模块，应用于直流输电换流阀，检测重点是长期老化后的漏电流漂移。

消费电子电源管理IGBT：600V~1200V小信号IGBT，用于快充电源、适配器等设备，需检测微小漏电流（nA级）精度。

高压直流输电（HVDC）IGBT模块：10kV~100kV级IGBT器件，用于跨区域电网互联，检测高温、高湿环境下的绝缘性能。

新能源储能系统IGBT单元：1000V~1500VIGBT模块，应用于锂电池储能变流器，需检测温度循环后的漏电流变化率。

航空电子IGBT器件：200V~600V耐辐射IGBT芯片，用于机载电源系统，需满足真空环境下的漏电流特性检测。

检测标准

IEC 60747-9:2019 半导体器件 第9部分：双极型晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的测试方法，规定了IGBT漏电流的基本测试条件与参数。

IEC 61000-4-3:2010 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验，用于评估高频电磁干扰下IGBT漏电流的变化特性。

GB/T 19289-2014 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管，明确了分立晶体管的漏电流测试方法及精度要求。

JESD23-A101F:2020 结温测试方法（Junction Temperature Measurement），指导通过电学法或光学法测量IGBT结温，用于漏电流-温度关系分析。

MIL-STD-883H:2020 微电路试验方法和程序，其中Method 1005.9（温度循环）、Method 1021.9（湿热）规定了环境应力下漏电流的测试流程。

GB/T 4937-2018 半导体器件 分立器件 第5部分：开关二极管和开关晶体管，包含开关晶体管的反向恢复漏电流测试要求。

JEDEC JESD51-1:2018 结温测量方法，提供了基于热阻网络的结温计算方法，用于漏电流与结温关联模型的建立。

AEC-Q101:2020 汽车级半导体分立器件认证标准，规定了汽车电子用IGBT在温循、湿热、机械振动等应力下的漏电流检测要求。

ISO 16750-4:2010 道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 电气负荷，适用于车载IGBT模块在电气负荷下的漏电流稳定性测试。

GB/T 2423.17-2008 电工电子产品环境试验 盐雾试验，用于评估海洋环境下IGBT模块的漏电流耐腐蚀性能。

检测仪器

高精度源测量单元（SMU）：具备四象限输出能力，可同时施加电压并测量微小电流，支持nA级分辨率，用于静态漏电流、栅极漏电流等低电平信号测量。

温循试验箱：温度范围-60℃~200℃，温度变化速率≥5℃/min，内置程控电源与数据采集接口，用于高温反向漏电流、温度循环后漏电流变化率等检测。

动态特性测试系统：集成高速采样模块（采样率≥100MHz）与任意波形发生器，可模拟开关过程中的电压/电流变化，用于反向恢复漏电流、高频工况下漏电流波动检测。

热成像仪：红外分辨率≥320×240像素，温度测量精度±1℃，可非接触式测量IGBT表面温度分布，辅助建立漏电流与结温的关联模型。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。