项目数量-208
高纯砷晶体微区TEM分析检测
北检院检测中心 | 完成测试：次 | 2025-09-05
高纯砷晶体微区TEM分析检测采用透射电子显微镜技术，对砷晶体的微观结构、成分和缺陷进行表征。检测要点包括晶体完整性评估、元素分布分析和界面特性测定，确保材料在半导体和电子领域的应用可靠性。
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
晶体结构分析：确定晶格参数和取向；具体检测参数包括晶格常数测量精度0.01nm，衍射花样指数化。
成分分析：量化元素含量和杂质；具体检测参数包括能谱分辨率138eV，元素检测限0.1at%。
形貌观察：评估表面和内部结构；具体检测参数包括分辨率0.2nm，放大倍数50-1000kX。
相鉴定：识别晶体相组成；具体检测参数包括相分布映射，衍射对比度。
缺陷分析：检测位错和空位；具体检测参数包括缺陷密度计数，误差范围5%。
界面特性测定：分析界面结构和结合状态；具体检测参数包括界面厚度测量，精度0.5nm。
电子衍射分析：获取晶体学信息；具体检测参数包括衍射角测量，准确度0.1°。
能谱映射：元素分布可视化；具体检测参数包括 mapping 时间10s/点，空间分辨率1nm。
高分辨率成像：观察原子级结构；具体检测参数包括点分辨率0.19nm，信噪比20dB。
应力应变分析：测量内部应力分布；具体检测参数包括应变场计算，精度0.1%。
检测范围
半导体晶圆：砷化镓基片和类似化合物材料。
电子器件组件：晶体管和二极管中的砷晶体部分。
光学器件材料：红外探测器和激光二极管。
纳米结构材料：砷纳米线和量子点样品。
薄膜沉积产品：化学气相沉积制备的砷薄膜。
晶体生长样品：区熔法制备的高纯砷单晶。
科研实验样品：实验室合成的砷晶体材料。
工业原料锭：高纯度砷金属锭块。
医疗器械部件：半导体传感器中的砷元件。
航空航天组件：高温传感器和电子系统。
检测标准
ASTM E1508-12标准用于微区成分分析。
ISO 16700规范透射电子显微镜操作方法。
GB/T 12334-2001电子显微镜分析通用要求。
ASTM E2090晶体缺陷评估指南。
ISO 25498微束分析标准。
GB/T 20299-2006半导体材料测试方法。
ASTM F1372电子器件材料表征。
ISO 14606表面分析标准。
GB/T 33345高纯材料检测规范。
ASTM E766能谱校准标准。
检测仪器
透射电子显微镜：高分辨率成像设备；功能包括微区结构观察和衍射分析。
能谱仪：元素分析附件；功能包括成分定量和 mapping。
电子衍射系统：晶体学分析组件；功能包括衍射花样采集和指数化。
样品制备工具：薄片制备设备；功能包括离子铣削和抛光至电子透明。
图像分析软件：数据处理系统；功能包括结构测量和缺陷统计。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验，获取相关数据资料;
出具检测报告。
上一篇：晶体砷击穿场强测试检测
下一篇：晶体砷缺陷能级深度检测
