项目数量-208
内量子效率测算
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2026-03-18
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
绝对内量子效率:指器件有源区内产生的光子数与注入的电子-空穴对总数的比值,是衡量电光转换能力的核心指标。
相对内量子效率:在固定参考条件下测得的IQE值,通常用于不同批次或工艺样品的快速比较分析。
波长依赖的IQE谱:测量IQE随激发光或发射光波长变化的曲线,用于分析材料在不同能带间的复合效率。
电流/电压依赖的IQE:研究在不同注入电流或偏置电压下IQE的变化行为,用于评估效率下降(效率滚降)机制。
温度依赖的IQE:测量不同温度下的IQE,用于研究非辐射复合中心的热激活能及器件的热稳定性。
载流子注入效率:评估从电极注入到有源区的载流子比例,是影响最终IQE的关键上游环节。
辐射复合系数:量化材料中辐射复合过程的速率常数,是计算理想IQE的理论基础参数。
非辐射复合寿命:测量由缺陷、杂质等引起的非辐射复合过程的载流子寿命,其倒数直接影响IQE损失。
外量子效率校准:精确测量光提取效率,为通过外量子效率推算内量子效率提供准确数据基础。
光吸收系数测算:精确测定有源材料对不同波长光子的吸收能力,是计算IQE所需的关键输入参数。
检测范围
发光二极管:包括可见光LED、紫外LED、红外LED以及微显示用Micro-LED,评估其电致发光的内量子效率。
半导体激光器:如边发射激光器、垂直腔面发射激光器,测算其受激发射模式下的内量子效率。
太阳能电池:针对硅基、钙钛矿、砷化镓等各类光伏器件,测算其将吸收光子转换为电子-空穴对的量子效率。
光电探测器:评估如PIN、APD等探测器将入射光子转换为有效光电流的载流子生成与收集效率。
荧光材料与量子点:测量在光激发下,材料本身的荧光或磷光发射内量子效率。
有机发光二极管:评估有机小分子或聚合物发光层中激子的形成与辐射复合效率。
新型低维半导体材料:包括量子阱、量子线、量子点、二维材料等,研究维度限制效应对IQE的影响。
半导体外延片:在芯片制备前,对外延生长的薄膜材料进行光致发光IQE的宏观与微观测绘。
生物发光标记物:对用于生物成像或检测的荧光标记物,评估其基本的发光效率参数。
闪烁体材料:测量高能粒子或射线激发下,材料产生可见光子的内部转换效率。
检测方法
积分球光谱法:结合积分球和光谱仪,精确测量器件的总光通量和光谱,是获取外量子效率并推算IQE的基准方法。
温度变比法:通过测量不同温度下的光致发光效率,外推至0K时所有非辐射复合被抑制的理想状态,从而计算室温IQE。
光致发光量子产率法:主要用于材料本身,通过比较样品与标准物的积分荧光强度,直接得到光激发下的IQE。
电致发光-光致发光对比法:在相同载流子浓度条件下,分别测量电致发光和光致发光强度,其比值可反映载流子注入效率。
可变条纹长度法:通过改变激发激光条纹的长度,结合对发射光的分析,可以直接提取材料的内部发光效率。
参比法/替代法:使用已知IQE的标准样品与待测样品在完全相同条件下进行测量,通过对比得出待测样品的IQE。
理论拟合分析法:建立器件的速率方程模型,通过拟合实验测量的亮度-电流-电压曲线来反推出IQE及相关参数。
时间分辨光谱法:测量荧光衰减寿命,区分辐射与非辐射复合通道,从而计算得出IQE。
显微光谱测绘法:结合共聚焦显微镜与光谱系统,实现微米甚至纳米尺度空间分辨的局部IQE测量。
电学测量推算法:通过精确测量器件的串联电阻、理想因子等电学参数,结合模型间接估算载流子注入效率对IQE的贡献。
检测仪器设备
积分球系统:配备标准光源和光谱仪的大型或微型积分球,用于收集器件发出的全部光线进行绝对光度测量。
高精度光谱辐射计:具有高波长精度和光学响应的光谱仪,用于分析发光的光谱功率分布。
低温恒温器:提供从液氦温度至室温的可控变温环境,是执行温度变比法等测量的核心设备。
标准光源与探测器:经过国家计量机构校准的卤钨灯、LED标准光源以及硅/铟镓砷探测器,用于系统校准。
稳态/瞬态荧光光谱仪:用于测量材料的光致发光光谱、量子产率以及荧光衰减寿命。
半导体参数分析仪:高精度源表,用于提供可控的电流/电压激励并同步测量器件的电学响应。
激光器系统:作为激发源,包括连续/脉冲激光器,波长覆盖紫外到红外,功率可调。
显微共聚焦光致发光系统:集成显微镜、激光激发和光谱探测,实现高空间分辨率的发光性能测绘。
外延片Mapping测绘仪:自动化平台,可对外延片进行全片或指定区域的快速PL/IQE扫描,生成效率分布图。
真空与惰性环境手套箱:为对空气敏感的样品(如钙钛矿、OLED材料)提供无氧无水的测试环境,保证数据准确性。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。
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