项目数量-9
碳化硅MOSFET栅氧可靠性测试
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2026-06-02
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
时间依赖介质击穿测试:施加恒定电压应力于栅氧,统计其发生击穿的时间,用于评估栅氧的长期寿命和失效分布。
恒定电压应力测试:在高于额定电压的条件下持续施加静态栅压,监测栅漏电流变化,评估栅氧的缺陷密度和稳健性。
恒定电流应力测试:向栅极注入恒定电流,监测栅压变化,用于研究栅氧的退化机制和电荷俘获特性。
高温栅偏测试:在高温环境下施加栅极偏压,加速评估温度与电场共同作用下的栅氧可靠性及界面稳定性。
负偏压温度不稳定性测试:在升温条件下施加负栅压,监测阈值电压漂移,评估SiC/SiO2界面处的空穴俘获效应。
正偏压温度不稳定性测试:在升温条件下施加正栅压,监测阈值电压漂移,评估界面陷阱和氧化层电荷的稳定性。
动态HTGB测试:在高温下对栅极施加动态开关电压应力,模拟实际开关工况,评估动态应力下的栅氧退化。
斜坡电压测试:以恒定速率扫描栅极电压直至击穿,快速获取栅氧的击穿场强和缺陷信息。
电荷泵测试:通过电荷泵信号测量界面陷阱密度,是评估SiC/SiO2界面质量的关键方法。
TDDB寿命外推与模型拟合:基于TDDB测试数据,利用E或1/E模型外推器件在正常工作电压下的预期寿命。
检测范围
平面型SiC MOSFET:针对主流平面栅结构的器件,评估其栅氧在垂直电场下的可靠性与均匀性。
沟槽型SiC MOSFET:针对沟槽栅结构,重点检测沟槽角等电场集中区域的栅氧完整性和击穿特性。
不同氧化工艺的栅氧:对比评估干氧氧化、湿氧氧化以及氮化处理等不同工艺形成的栅氧层质量。
不同厚度栅氧层:研究从数十纳米到上百纳米不同厚度的栅氧层,其可靠性随厚度的变化规律。
晶圆级测试结构:在流片过程中,对专门设计的测试键进行测试,用于工艺监控和早期可靠性评估。
封装级成品器件:对封装后的完整器件进行测试,评估包括封装工艺影响在内的整体栅氧可靠性。
高温应用场景器件:针对工作在150°C以上高温环境的车规级、航天级器件进行苛刻条件测试。
高频开关应用器件:针对工作在数百kHz高频下的器件,评估其在高频动态应力下的栅氧耐久性。
高压阻断应用器件:针对650V、1200V、1700V及更高电压等级的器件,评估其在高阻断电压下的长期稳定性。
研发阶段与质量认证阶段:覆盖从器件研发、工艺优化到批量生产质量认证的全流程可靠性检测需求。
检测方法
标准TDDB测试法:依据JEDEC等标准,在多个应力电压下进行大批量样品测试,通过威布尔分布分析失效时间。
步进应力测试法:逐步增加施加在栅氧上的电压应力,每步保持一段时间,快速筛选出薄弱样品。
恒压/恒流交替应力法:交替施加恒定电压和恒定电流应力,深入研究栅氧退化与恢复的动力学过程。
C-V特性曲线测量法:通过高频和准静态C-V曲线测量,提取氧化层电荷、界面陷阱密度等关键参数。
I-V特性曲线测量法:测量栅极泄漏电流随电压的变化,用于评估栅氧质量和早期失效。
在线参数监测法:在施加应力的过程中,实时或间断地监测阈值电压、导通电阻、栅漏电流等关键电参数的变化。
温度循环与高温反偏结合法:将温度循环应力与高温反偏应力结合,考核热机械应力与电应力共同作用的效应。
高加速寿命试验法:通过施加远高于额定条件的应力和温度,大幅缩短测试时间,快速预测产品寿命。
统计分析失效数据法:运用威布尔分布、对数正态分布等统计工具对失效时间进行分析,确定失效机理和寿命特征。
物理失效分析法:对失效后的样品进行SEM、TEM、EMMI等物性分析,定位失效点并分析根本原因。
检测仪器设备
半导体参数分析仪:用于精确测量器件的I-V、C-V特性曲线以及各项直流参数,是基础测试核心设备。
高精度源测量单元:提供高精度、高稳定性的电压/电流源并同步进行测量,适用于恒压/恒流应力测试。
高温探针台与温控系统:提供可控的高温测试环境(最高可达300°C以上),用于HTGB、NBTI/PBTI等高温测试。
晶圆级可靠性测试系统:集成多通道SMU和开关矩阵,可对晶圆上的大量测试结构进行自动化并行测试。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。
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