陶瓷基板检测

检测项目

陶瓷基板质量评价体系包含四大类共18项核心指标：

物理性能：尺寸公差（±0.02mm）、平面度（≤5μm/mm）、表面粗糙度（Ra≤0.4μm）、密度（≥3.85g/cm³）、抗弯强度（≥350MPa）

化学性能：氧化铝纯度（≥96%）、玻璃相含量（≤3%）、金属化层结合强度（≥15MPa）、离子迁移率（Na+≤50ppm）

电学性能：介电常数（9.8±0.2@1MHz）、介质损耗（≤0.0004）、绝缘电阻（≥10¹²Ω·cm）、击穿场强（≥15kV/mm）

热学性能：热膨胀系数（6.5±0.5×10⁻⁶/K）、热导率（≥24W/m·K）、耐热冲击性（ΔT≥300℃）、高温变形量（≤0.1%@800℃）

检测范围

现行检测标准覆盖三类应用场景：

材料体系：氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氮化硅(Si₃N₄)基板及其复合改性材料

应用领域：功率模块封装基板、半导体激光器载板、多层共烧电路基板、LED散热基板、MEMS传感器衬底

工艺阶段：原材料粉末纯度检测、流延成型生坯缺陷分析、烧结体致密度测试、金属化层结合强度验证

检测方法

检测仪器

三坐标测量机(精度等级)

CMM系统(ISO10360-2:2009)配备蓝光扫描头，空间分辨率达0.8μm

X射线衍射仪(XRD)

CuKα辐射源(λ=1.5406Å)，扫描角度10°~80°，物相识别精度±0.02°

激光热导仪(LFA)

脉冲能量50~500mJ可调，温度控制范围-170~500℃，数据采集频率1MHz

场发射电镜(FESEM)

分辨率达0.6nm@15kV，配备EDS能谱仪实现微区成分分析

高频介电分析仪

测试频率1MHz~3GHz，介电常数测量误差±0.5%，温度控制精度±0.5℃

万能材料试验机

载荷范围0.01N~50kN，位移分辨率0.1μm，满足ASTM C1161标准要求

注：所有检测过程均需在ISO/IEC17025认证实验室环境下进行，温度控制(23±1)℃，相对湿度(50±5)%RH。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。