扫描电镜检测

检测项目

表面形貌表征：解析样品微观结构特征（1nm-1mm尺度），包括颗粒分布、孔隙率及表面粗糙度

元素成分分析：通过能谱仪（EDS）实现Be4-U92元素的定性与半定量分析

断面结构观测：针对涂层/镀层体系进行层厚测量及界面结合状态评估

晶体取向分析：结合EBSD技术测定多晶材料的晶粒取向与织构特征

动态过程监测：配备加热/冷却台时实现相变、氧化等过程的原位观察

检测范围

金属材料：包括铝合金晶界腐蚀、钛合金α/β相分布、钢中夹杂物鉴定等

无机非金属：陶瓷烧结致密度、玻璃表面微裂纹扩展路径分析

高分子材料：共混物相分离结构、纤维增强复合材料界面研究

生物样本：经临界点干燥处理的细胞超微结构、骨组织矿化程度表征

微电子器件：芯片焊点失效分析、PCB线路微观缺陷检测

纳米材料：量子点分散性评估、纳米管/纳米线直径测量（误差±0.5nm）

检测方法

样品制备：

导电样品直接固定于铝制样品台

非导电样品需进行喷金/喷碳处理（厚度5-20nm）

生物样品采用戊二醛固定-乙醇梯度脱水-临界点干燥标准流程

工作模式选择：

高真空模式（10^-3-10^-5 Pa）：常规形貌观察

低真空模式（10-500 Pa）：含水/含油样品观测

环境模式：实现动态反应过程记录

参数优化：

加速电压（0.1-30kV）根据样品导电性调整

束流强度（1pA-1μA）匹配分辨率需求

工作距离（3-15mm）影响景深与分辨率平衡

信号采集：

二次电子像（SE）：表面形貌敏感

背散射电子像（BSE）：成分衬度成像

阴极荧光（CL）：半导体材料缺陷表征

检测仪器

电子光学系统：

场发射电子枪（FEG）：分辨率≤0.8nm@15kV

钨灯丝电子枪：分辨率≤3.0nm@30kV

探测器配置：

Everhart-Thornley二次电子探测器

固态背散射电子探测器（四象限型）

硅漂移能谱仪（SDD）：能量分辨率≤127eV

辅助系统：

冷却台：温度范围-20℃~150℃

拉伸台：最大载荷500N，位移精度1μm

离子束切割装置：用于制备无损伤观察面

校准标准：

ASTM E766标准栅格复型片：放大倍率校准

铜网标准样品：分辨率验证基准

纯元素标样（Al,Si,Fe等）：EDS能量校准源

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。