硅料检测

检测项目

硅料质量评价体系包含12项核心指标：总金属杂质含量（Fe、Cu、Cr等）、体电阻率（0.1-100Ω·cm）、氧碳浓度（≤1×10¹⁸ atoms/cm³）、位错密度（≤500/cm²）、少子寿命（≥100μs）、表观缺陷（裂纹/夹杂物）、晶体取向偏差（＜0.5°）、表面金属污染（≤5×10¹⁰ atoms/cm²）、总施主/受主浓度比（ND/NA≤1.05）、热稳定性（1500℃/4h）、光致发光强度偏差率（≤3%）、X射线衍射半峰宽（FWHM＜0.05°）。其中金属杂质总量控制需达到ppb级精度，氧碳元素需区分间隙氧与替位氧形态。

检测范围

检测对象涵盖三大类硅材料：冶金级硅（MG-Si, 98-99.5%纯度）、太阳能级多晶硅（SG-Si, 6N-7N纯度）、电子级单晶硅（EG-Si, 9N-11N纯度）。具体包括直拉单晶硅锭（CZ）、区熔单晶硅棒（FZ）、流化床法颗粒硅（FBR）、西门子法棒状硅（Siemens Process），以及再生硅料破碎料（粒径＞2mm）。特殊形态样品包含：太阳能电池用金刚线切割硅片（厚度160-180μm）、外延片衬底（EPI Wafer）、SOI晶圆（厚度偏差±0.5μm）等衍生制品。

检测方法

依据ASTM F1724、SEMI MF1726等行业标准：采用低温傅里叶变换红外光谱（FTIR）测定间隙氧含量（分辨率0.01cm^-1），四探针法结合van der Pauw结构测量薄层电阻（精度±0.5%），二次离子质谱（SIMS）分析表面金属污染（检出限1×10¹² atoms/cm³），电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）测定体金属杂质（检出限0.01ppb）。晶体质量评估使用X射线形貌术（XRT）扫描位错分布（扫描步长10μm），少子寿命测试采用准稳态光电导衰减法（QSS-PCD，脉冲宽度1ms）。

检测仪器

标准实验室配置包含：高分辨率场发射扫描电镜（FE-SEM, 1nm分辨率）用于表面形貌分析，辉光放电质谱仪（GD-MS）测定体杂质浓度，低温霍尔效应测试系统（77K-400K）测量载流子浓度，同步辐射X射线衍射仪（SR-XRD, λ=0.1nm）解析晶体缺陷。专用设备包括：全自动少子寿命扫描仪（空间分辨率50μm），深能级瞬态谱仪（DLTS）检测晶体缺陷能级，激光剥蚀电感耦合等离子体质谱联用系统（LA-ICP-MS）实现三维元素分布成像。环境控制要求：超净实验室洁净度ISO Class 3级，温控精度±0.1℃，相对湿度＜30%RH。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。