半导体检测

检测项目

晶圆缺陷检测、薄膜厚度测量、掺杂浓度分析、表面粗糙度测试、界面态密度评估、载流子迁移率测定、击穿电压验证、漏电流测试、热阻系数计算、晶体取向校准、金属间化合物鉴定、氧化层完整性检验、键合强度测试、颗粒污染计数、应力分布分析、腐蚀速率测定、光刻胶残留量检测、接触电阻测量、介电常数标定、迁移率均匀性评估、热膨胀系数验证、晶格畸变表征、化学机械抛光均匀性测试、离子注入深度校准、金属互连层附着力检验、封装气密性验证、焊点可靠性测试、电磁兼容性评估、辐射耐受性分析、湿敏等级判定

检测范围

硅晶圆（单晶/多晶）、砷化镓衬底、氮化镓外延片、碳化硅功率器件、铜互连结构层、铝键合线材、光刻胶涂层（正胶/负胶）、高介电常数栅介质层（HfO₂/Al₂O₃）、低k介质材料（SiCOH）、TSV硅通孔结构、BGA封装基板、QFN引线框架、MEMS加速度计芯片、CMOS图像传感器模块、IGBT功率模块、LED外延晶粒、DRAM存储单元阵列、3DNAND闪存堆叠结构、射频滤波器芯片（SAW/BAW）、太阳能电池PN结层、热电制冷器件（Bi₂Te₃）、光电探测器PIN结区、柔性OLED显示基板（PI/PET）、微流控生物芯片玻璃基片、量子点发光层（CdSe/InP）、磁阻传感器多层膜结构（GMR/TMR）、相变存储器硫系化合物层（GeSbTe）、原子层沉积Al₂O₃钝化膜

检测方法

• 扫描电子显微镜（SEM）：通过聚焦电子束扫描样品表面获取微米级形貌特征
• 二次离子质谱（SIMS）：利用离子溅射逐层剥离材料并分析元素深度分布
• 四探针法：采用四点接触模式测量半导体薄层电阻率
• X射线衍射（XRD）：基于布拉格定律解析晶体结构参数与应力状态
• 霍尔效应测试：通过正交电磁场测定载流子浓度与迁移率
• 热重分析（TGA）：监测材料在程序控温下的质量变化评估热稳定性
• 原子力显微镜（AFM）：纳米级分辨率表征表面三维形貌与力学特性
• 深能级瞬态谱（DLTS）：探测半导体中深能级缺陷的浓度与能级位置
• 红外光谱（FTIR）：识别材料化学键振动模式进行成分定性分析
• 聚焦离子束（FIB）：实现微区截面制备与电路修复的精准加工技术

检测标准

• ASTMF1241-22半导体材料载流子浓度的非接触式微波反射测试方法
• ISO14647:2020硅晶圆表面金属污染量的全反射X射线荧光测定法
• JESD22-A101D半导体器件稳态温度湿度偏置寿命试验规范
• GB/T16597-2019半导体材料电阻率的四探针测量通用规则
• IEC60749-25:2021半导体器件机械与气候试验方法-温度循环试验
• SEMIMF1528-0709300mm硅晶圆几何尺寸的激光散射测量规程
• MIL-STD-883K微电子器件试验方法与程序军用标准
• GB/T35010-2018氮化镓单晶衬底结晶质量X射线衍射测试方法
• ASTME112-13平均晶粒度测定的标准试验方法
• JISC7025:2018分立半导体器件环境试验基准

检测仪器

• 台阶仪：通过触针扫描测量薄膜台阶高度与表面轮廓精度
• 椭偏仪：基于偏振光相位变化反演薄膜厚度与光学常数
• 能量色散谱仪（EDS）：配合电镜实现微区元素成分定性定量分析
• 激光闪光法导热仪：测定材料热扩散系数与比热容参数
• C-V特性测试系统：测量MOS结构电容-电压曲线计算界面态密度
• 锁相热成像系统：通过相位延迟分析定位集成电路热点缺陷
• 氦质谱检漏仪：利用氦气示踪法检测封装器件的微小泄漏通道
• 高分辨率X射线荧光光谱仪：无损快速测定重金属污染物含量
• 微波光电导衰减仪（μ-PCD）：非接触式测量少数载流子寿命
• 三维原子探针（APT）：实现原子级空间分辨率的成分重构分析

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。