光学半导体性能检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-05-23  

检测项目发光效率、光谱响应范围、量子产率、载流子浓度、迁移率、暗电流密度、击穿电压、响应时间、波长准确性、色纯度、光通量维持率、热阻系数、结温漂移量、反向漏电流、正向电压降、光功率输出稳定性、半峰宽(FWHM)、偏振特性、光衰速率、非线性光学系数、缺陷密度分布、表面粗糙度、界面态密度、能带结构参数、光致发光寿命、电致发光均匀性、抗静电能力(ESD)、湿热循环耐受性、辐射硬度测试、封装气密性检测范围LED芯片、激光二极管(LD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电探测器(PD)、太阳能电池片、有机发光二

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

发光效率、光谱响应范围、量子产率、载流子浓度、迁移率、暗电流密度击穿电压、响应时间、波长准确性、色纯度、光通量维持率、热阻系数、结温漂移量、反向漏电流、正向电压降、光功率输出稳定性、半峰宽(FWHM)、偏振特性、光衰速率、非线性光学系数、缺陷密度分布、表面粗糙度、界面态密度、能带结构参数、光致发光寿命、电致发光均匀性、抗静电能力(ESD)、湿热循环耐受性、辐射硬度测试、封装气密性

检测范围

LED芯片、激光二极管(LD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电探测器(PD)、太阳能电池片、有机发光二极管(OLED)、量子点发光器件(QLED)、氮化镓(GaN)基器件、砷化镓(GaAs)晶圆、磷化铟(InP)衬底材料、碳化硅(SiC)功率模块、光电耦合器、光纤通信模块、红外传感器阵列、紫外LED封装体、柔性显示面板背光单元(BLU)、微型投影仪DMD芯片、光通信收发组件(TRx)、硅光子集成电路(PIC)、光电化学传感器探头、高功率激光巴条(Bar)、雪崩光电二极管(APD)、光电晶体管阵列、钙钛矿光伏薄膜样品、MEMS微镜光学组件、分布式反馈激光器(DFB)、光电导开关器件(PCSS)、波分复用器(WDM)芯片

检测方法

电致发光谱法:通过注入电流激发器件发光并采集光谱数据,分析峰值波长与半峰宽光致发光谱法:使用激光激发样品后测量自发辐射光谱,评估材料能带结构积分球光度测量:采用标准积分球系统测定总光通量及色度坐标瞬态热阻测试:施加脉冲电流后记录结温变化曲线计算热阻值霍尔效应测试:通过四探针法测量载流子浓度与迁移率时间分辨荧光光谱:飞秒激光激发配合单光子计数器测定载流子复合寿命原子力显微镜(AFM)扫描:三维形貌分析评估表面粗糙度与缺陷分布高低温循环试验:在-40℃至150℃温度范围内验证器件可靠性飞针测试系统:非接触式测量晶圆级器件的电学参数分布二次离子质谱(SIMS):深度剖析材料掺杂浓度与杂质分布

检测标准

IEC60747-5-5:2021半导体器件分立器件第5-5部分:光电子器件测试方法GB/T15651.1-2020半导体器件分立器件第5部分:光电子器件通则JESD22-A101E稳态温度湿度偏置寿命试验标准MIL-STD-883H微电子器件试验方法标准第1015章光电参数测试ASTMF1241-22红外探测器相对光谱响应测量规程ISO21254-1:2019激光及激光相关设备激光损伤阈值测定方法TIA-455-220-A光纤通信器件光发射机眼图测试规范JEITAED-4703/300半导体器件环境与耐久性试验方法SJ/T11823-2022氮化镓基发光二极管光电性能测试方法EN62007-1:2016光纤系统用半导体光电器件基本额定值及特性

检测仪器

光谱分析仪:0.2nm分辨率精度下测量380-2500nm波段的光谱功率分布半导体参数分析仪:支持100pA~10A电流范围的高精度I-V/C-V特性测试积分球光度计:直径2米的BaSO4涂层积分球配合多通道分光辐射计瞬态热测试系统:基于T3ster原理实现μs级时间分辨的结温监测低温探针台:液氮制冷至4.2K进行低温载流子输运特性研究飞秒激光器:输出脉宽<100fs的超快光源用于时间分辨光谱测量扫描电子显微镜(SEM):5nm分辨率观测器件微观结构与缺陷形貌高加速寿命试验箱:85℃/85%RH双85条件下进行加速老化试验X射线衍射仪(XRD):分析外延层晶体质量与应力分布光机械应力测试机:模拟10N~500N封装应力对光学性能的影响

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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