电气产品砷锑铍光谱检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-05-26  

检测项目总砷含量测定、三价砷形态分析、五价砷形态分析、锑氧化物含量测定、金属锑杂质检测、铍合金成分分析、可溶性铍化合物测定、无机砷总量控制、有机锑化合物筛查、纳米铍颗粒表征、镀层砷迁移量测试、焊料锑析出量评估、封装材料铍释放量监测、塑料添加剂含砷量检验、绝缘油锑污染度分析、导热膏铍分散均匀性测试、电触点材料砷分布扫描、半导体晶圆表面锑残留量测定、磁性材料铍掺杂浓度验证、电解液砷酸根离子浓度测试、电极材料三氧化二锑纯度检验、陶瓷基板铍扩散深度测量、导电胶黏剂亚砷酸盐含量控制、电磁屏蔽材料锑化铟相组成分析、合

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

总砷含量测定、三价砷形态分析、五价砷形态分析、锑氧化物含量测定、金属锑杂质检测、铍合金成分分析、可溶性铍化合物测定、无机砷总量控制、有机锑化合物筛查、纳米铍颗粒表征、镀层砷迁移量测试、焊料锑析出量评估、封装材料铍释放量监测、塑料添加剂含砷量检验、绝缘油锑污染度分析、导热膏铍分散均匀性测试、电触点材料砷分布扫描、半导体晶圆表面锑残留量测定、磁性材料铍掺杂浓度验证、电解液砷酸根离子浓度测试、电极材料三氧化二锑纯度检验、陶瓷基板铍扩散深度测量、导电胶黏剂亚砷酸盐含量控制、电磁屏蔽材料锑化铟相组成分析、合金导线铍晶界偏析评估、电子浆料有机砷分解产物筛查、热界面材料六氟化锑残留量测试、光刻胶甲基铍污染物监测。

检测范围

铜合金导线端子、镀银触点组件、锡基焊料合金、镍铬电阻丝基材、钕铁硼永磁体部件、硅晶圆衬底材料、铝电解电容器外壳封装胶体化合物绝缘套管热缩管件导电银浆印刷电路板覆铜层陶瓷介质滤波器钨铜散热基板高分子屏蔽涂料锂离子电池极片锌合金压铸件钽电容阳极块石英晶体振荡器封装树脂环氧模塑料金丝键合线锡球阵列封装材料聚酰亚胺柔性基板铁氧体磁芯组件钼铜合金散热片碳化硅功率器件封装体氧化铝陶瓷基板有机硅导热垫片银氧化锡电触点。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES):通过高频感应线圈产生等离子体激发样品原子发射特征谱线,适用于0.1-100mg/kg浓度范围的元素定量分析。

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS):采用四级杆质量分析器分离离子化元素同位素,检出限可达0.01μg/kg级超痕量元素测定。

X射线荧光光谱法(XRF):利用初级X射线激发样品产生特征X射线进行无损快速筛查,特别适用于镀层成分的现场半定量分析。

氢化物发生原子荧光光谱法(HG-AFS):通过氢化物发生系统分离挥发性砷/锑氢化物进行形态特异性检测。

激光剥蚀-质谱联用技术(LA-ICP-MS):实现微区元素分布成像分析。

检测标准

GB/T26193-2010电子电气产品中限用物质砷的测定

IEC62321-5:2013电子电气产品中六价铬及特定元素的筛选

ASTME1479-16电感耦合等离子体原子发射光谱法标准指南

EN62321-8:2017电子电气产品中金属铍的测定

JISC0950:2021电子设备特定化学物质测定方法

GB/T33324-2016电子材料中痕量杂质元素的测定

ISO11885:2007水质-电感耦合等离子体发射光谱法测定33种元素

EPA6010D:2018电感耦合等离子体原子发射光谱法

SJ/T11365-2020电子信息产品中有毒有害物质限量要求

RoHS指令2011/65/EU附录II修正案(EU)2015/863

检测仪器

全谱直读ICP-OES光谱仪:配备中阶梯光栅分光系统和CID阵列检测器实现多元素同步测定。

三重四极杆ICP-MS系统:采用碰撞反应池技术消除多原子离子干扰。

微区X射线荧光光谱仪:配置多毛细管聚焦光学系统实现50μm空间分辨率。

微波消解工作站:采用高压密闭消解罐完成难溶样品的完全分解。

激光剥蚀进样系统:配备193nm准分子激光器进行固体样品直接气化。

氢化物发生装置:集成在线气液分离模块实现形态选择性测定。

热解析-电热蒸发进样器:用于挥发性元素的直接固体进样分析。

动态反应池质谱仪:通过甲烷反应气消除ArCl+对As的质谱干扰。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
北检(北京)检测技术研究院
北检(北京)检测技术研究院