硅材料氧含量红外法检测

检测项目

间隙氧浓度测定、替代氧含量分析、氧沉淀密度评估、氧热施主效应测试、氧复合缺陷表征、氧分布均匀性检测、氧结合态识别、氧扩散系数测定、氧掺杂效率验证、氧空位浓度测量、氧相关光致衰减测试、氧杂质形态鉴定、氧团簇尺寸分析、氧碳复合缺陷检测、氧氮复合物含量测定、氧化层厚度验证、氧诱导层错密度评估、氧施主浓度标定、氧受主态密度分析、氧相关载流子寿命测试、氧沉淀形貌观测、氧分凝系数测定、氧热稳定性评估、氧化学态定量分析、氧振动模式识别、氧同位素丰度检测、氧界面态密度测量、氧扩散激活能计算、氧相关应力场分析、氧本征吸收系数校准

检测范围

直拉单晶硅锭、区熔单晶硅棒、多晶硅铸锭、太阳能级硅片、半导体抛光片、外延衬底片、退火处理样片、离子注入样品、扩散工艺样片、氧化层薄膜样品、氮化硅覆盖层样品、碳化硅复合基板、太阳能电池组件、集成电路芯片基材、光伏组件封装材料、硅基纳米线阵列、多孔硅结构样品、非晶硅薄膜材料、微晶硅光伏层样品、硅基合金材料（SiGe/SiC）、太阳能电池减反射膜层、硅基MEMS器件基材、半导体封装用硅胶材料、光伏背板封装胶膜、硅基量子点复合材料、半导体工艺废料样片、回收硅料提纯样品、太阳能电池银浆料基材、半导体级高纯石英坩埚残留物分析样片

检测方法

透射式红外光谱法：基于1106cm⁻特征吸收峰强度与间隙氧浓度的线性关系建立定量模型，需在液氮温度下消除热振动干扰。

反射式红外光谱法：适用于表面氧化层及薄膜样品分析，采用掠入射技术增强信号强度。

显微红外光谱法：结合光学显微镜实现微区（10μm级）氧分布特征分析。

光热偏转光谱法：通过探测样品热透镜效应提高低浓度（＜110⁶cm⁻）测量灵敏度。

变温红外光谱法：在25-300℃范围内研究氧沉淀动力学过程。

偏振红外光谱法：用于晶体取向对氧吸收截面影响的校正分析。

同步辐射红外光谱法：利用高亮度光源实现纳米级空间分辨率测量。

傅里叶变换红外光谱法：采用迈克尔逊干涉仪提升光谱分辨率和信噪比。

衰减全反射红外法（ATR）：适用于粗糙表面或非透明样品的无损检测。

光致发光谱辅助分析法：通过D1/D2缺陷峰强度比验证氧沉淀状态。

检测标准

ASTMF1188-2021硅中间隙原子氧含量的标准测试方法

ISO14707:2020表面化学分析-辉光放电发射光谱法测定硅中杂质含量

GB/T1558-2021半导体单晶晶向测定方法

IEC60904-1:2020光伏器件第1部分：光伏电流-电压特性的测量

JISH0615:2019硅晶体中杂质浓度的红外吸收测定方法

SEMIMF1188-0821硅片间隙氧含量的测试方法

DIN50438-1:2018半导体材料的测试-硅中替代碳和间隙氧的红外测定

GB/T26071-2018太阳能级多晶硅锭中杂质元素含量的测定方法

ISO21484:2017核能-二氧化铀粉末和烧结芯块中O/U原子比的测定

ASTME168-2016红外定量分析的一般实践标准

检测仪器

傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）：配备液氮冷却MCT探测器（4000-400cm⁻），分辨率可达0.5cm⁻，配置可变温样品室（-196℃~600℃）。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。