硅单晶质量评估检测

检测项目

晶体缺陷密度、位错分布图、层错能量、微缺陷浓度、电阻率均匀性、载流子寿命、少数载流子扩散长度、氧含量测定、碳含量分析、重金属污染度、表面粗糙度、晶向偏离度、直径公差、弯曲度偏差、翘曲度测试、体电阻率分布、霍尔迁移率测量、少子寿命图谱、光致发光强度分布、红外吸收光谱分析、X射线形貌成像缺陷识别、腐蚀坑密度统计、机械强度测试、热稳定性评估、杂质分凝系数测定、晶体生长条纹分析、微区成分分布测绘、应力双折射观测、微硬度测试、表面金属污染量

检测范围

直拉法(CZ)单晶锭区熔法(FZ)单晶棒、(100)/(111)晶向抛光片、(200mm/300mm)半导体级硅片、(N型/P型)掺杂晶圆、(重掺/轻掺)砷/硼/磷基材料、(太阳能级/电子级)原生多晶料、(中子嬗变掺杂)NTD硅片、(外延生长用)衬底片、(SOI)绝缘体上硅基板、(退火/未退火)处理样品、(抛光/研磨)加工片、(双面/单面)钝化片、(超薄/常规厚度)切割片、(边缘倒角/未倒角)晶圆、(真空封装/裸片)存储样件、(高温退火/快速热退火)处理样片、(离子注入/扩散)工艺样片、(化学机械抛光/干法刻蚀)后处理片、(氩气退火/氮气退火)环境样片、(激光切割/金刚线切割)加工样片、(背封/非背封)支撑片、(图形化/非图形化)测试片、(高阻/低阻)规格样片、(超平整度/常规平整度)抛光片、(回收料提纯/原生料制备)对比样块

检测方法

X射线衍射法(XRD)：通过测量晶体衍射峰位偏移和半高宽变化定量表征晶格畸变与应力分布
四探针电阻率测试：采用线性排列探针组在恒定电流下测量电压降计算体电阻率
傅里叶红外光谱(FTIR)：利用氧原子间隙态引起的9μm特征吸收峰强度换算氧含量
低温光致发光谱(PL)：在液氮温度下捕捉缺陷相关的发光峰进行微缺陷定性分析
扫描电子显微镜(SEM)：通过二次电子成像观测表面微米级缺陷形貌特征
化学腐蚀法：采用Secco或Wright腐蚀液使晶体缺陷选择性显像进行密度统计
微波光电导衰减(μ-PCD)：利用微波反射信号监测光生载流子复合过程推算少子寿命
二次离子质谱(SIMS)：通过离子溅射逐层分析痕量杂质元素的纵向分布
激光散射法：采用532nm激光扫描测量晶体内部微缺陷引起的光散射强度
热波法(ThermalWave)：基于周期性热激励产生的表面波分析近表面缺陷分布

检测标准

ASTMF723-2018硅材料电阻率测量的标准规程
GB/T1550-2018半导体单晶晶向测定方法
IEC60749-5:2017半导体器件机械和环境试验方法-第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验
JISH0605:2015硅单晶中氧含量的红外吸收测定方法
SEMIMF1724-2021硅片中金属污染量的全反射X射线荧光光谱测试方法
GB/T26071-2010太阳能级硅单晶中碳含量的测定红外吸收法
ISO14707:2015表面化学分析-辉光放电发射光谱法通则
ASTMF1392-2022用四探针法测量半导体材料电阻率的标准试验方法
GB/T4059-2020硅多晶断面夹层化学分析方法
SEMIMF1530-2020非接触式硅片电阻率测量的标准测试方法

检测仪器

高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)：配备四轴测角器与多毛细管光学系统实现亚微弧度级角度分辨率
深能级瞬态谱仪(DLTS)：通过电容瞬态分析探测晶体中深能级缺陷浓度与能级位置
全自动探针台系统：集成多轴运动平台与高精度源表模块实现多点位电学参数自动采集
低温强磁场霍尔效应仪：在1.5K低温与12T磁场环境下精确测量载流子迁移率与浓度
：采用632.8nm氦氖激光干涉法测量纳米级表面起伏度
：配置1064nm脉冲激光源与26.5GHz微波探测单元实现非接触式少子寿命测量
：配备双束溅射离子源实现ppb级杂质深度剖析
：利用高亮度同步辐射光源进行大尺寸晶体缺陷全景扫描
：采用纳米探针接触式扫描获得亚埃级表面粗糙度数据
：集成恒温腐蚀槽与机器视觉系统实现批量样品标准化处理

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。