氮化物外延片检测

检测项目

晶体结构分析：评估外延层晶体完整性和晶格匹配性。检测参数：位错密度、晶格常数、缺陷密度。

厚度测量：确定外延层厚度分布。检测参数：平均厚度、厚度均匀性、层间厚度偏差。

掺杂浓度测试：分析掺杂元素分布和浓度水平。检测参数：掺杂浓度、分布均匀性、杂质含量。

表面粗糙度分析：测量表面形貌和微观缺陷。检测参数：RMS粗糙度、表面缺陷密度、峰谷高度差。

电学性能测试：评估载流子特性和导电性能。检测参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数。

光学性能评估：分析发光特性和能带结构。检测参数：发光峰波长、强度、半峰宽、量子效率。

化学组成分析：确定元素比例和杂质含量。检测参数：氮化物比例、氧碳杂质浓度、元素分布图。

应力分析：测量晶格应力和应变分布。检测参数：应力值、应力均匀性、应变弛豫度。

层间界面质量：评估界面锐度和扩散特性。检测参数：界面粗糙度、扩散深度、界面缺陷密度。

均匀性映射：全面评估材料参数的空间分布。检测参数：厚度均匀性、掺杂均匀性、电学参数偏差。

检测范围

GaN基LED外延片：用于发光二极管制造的光电子材料。

GaN基HEMT外延片：用于高电子迁移率晶体管的射频器件。

AlGaN外延片：用于紫外探测器和激光器的宽禁带材料。

InGaN外延片：用于蓝绿光激光二极管的量子阱结构。

SiC上GaN外延片：用于高功率电子器件的异质外延材料。

蓝宝石上GaN外延片：用于低成本光电子器件的衬底材料。

微波器件用外延片：用于雷达和通信系统的微波晶体管。

功率电子用外延片：用于电动汽车逆变器的高压器件。

光电探测器用外延片：用于光传感器和成像系统的探测材料。

激光二极管用外延片：用于光纤通信系统的激光发射材料。

检测标准

依据ASTME112晶粒度测定标准。

依据ISO14644洁净室相关标准。

依据GB/T半导体材料测试规范。

依据ISO13067微束分析标准。

依据ASTMF1392厚度测量标准。

依据GB/T半导体外延片检测方法标准。

依据ISO1853导电性测试标准。

检测仪器

X射线衍射仪：用于分析晶体结构和厚度分布。功能：测量晶格参数和外延层厚度。

原子力显微镜：用于表面形貌和粗糙度分析。功能：获取三维表面图像和RMS粗糙度值。

二次离子质谱仪：用于化学组成和掺杂浓度分析。功能：进行深度剖析以确定元素分布。

Hall效应测量系统：用于电学性能测试。功能：测定载流子浓度和迁移率参数。

光致发光光谱仪：用于光学性能评估。功能：测量发光光谱特性和量子效率。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。