电子元件高温老化实验检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-08-13  

高温老化实验是评估电子元件在高温环境下可靠性和寿命的关键方法,聚焦于温度控制精度、时间参数设定、元件性能变化监测及故障分析。检测要点包括热应力耐受、电气参数漂移、机械稳定性退化观测,确保元件满足设计规范和环境适应性要求。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

热应力测试:评估元件在高温下的物理变形和开裂风险,具体检测参数包括温度梯度变化速率(±2°C/min)和应力分布图。

电气性能漂移:测量电阻、电容或电感值的变化幅度,具体检测参数包括参数漂移率(±5%)和稳定时间阈值(1000h)。

老化时间验证:确定元件在指定温度下连续工作的最大持续时间,具体检测参数包括失效临界时间(500-2000h)和平均失效间隔。

温度循环测试:模拟元件在高温和低温交替环境下的耐受能力,具体检测参数包括循环次数(500 cycles)和温度范围(-40°C至150°C)。

湿度影响分析:监测高温高湿条件下绝缘性能变化,具体检测参数包括湿度控制精度(±5%RH)和绝缘电阻下降率(>10^12Ω)。

机械强度退化:观测高温下元件引脚或外壳的变形程度,具体检测参数包括拉伸强度保留率(>80%)和裂纹发生率。

信号完整性监测:评估高温对信号传输质量的影响,具体检测参数包括信号失真率(<3%)和传输延迟变化(±10ns)。

元件寿命预测:基于老化数据建模预测实际使用寿命,具体检测参数包括加速因子(1.5-2.0)和可靠性置信水平(95%)。

故障模式识别:分析高温引发的短路、开路等缺陷特征,具体检测参数包括故障率分布和热点温度阈值(>200°C)。

材料兼容性测试:验证元件材料在高温下的化学稳定性,具体检测参数包括挥发物释放量(<0.1mg)和氧化层厚度(<10μm)。

检测范围

集成电路:包括微处理器、存储芯片等半导体器件,评估其在高温环境的逻辑功能稳定性。

晶体管:针对双极或场效应晶体管,检测高温下的放大性能和开关特性变化。

电容器:涵盖电解电容和陶瓷电容,评估高温下容量衰减和漏电流增加。

电阻器:各类固定或可变电阻,监测高温下的阻值漂移和功率耗散能力。

二极管:包括整流二极管和发光二极管,测试高温下的正向压降和反向击穿电压

连接器:电子插头和插座组件,评估高温下接触电阻和机械插拔耐久性。

PCB板:印刷电路板基材,分析高温下的翘曲变形和导体层附着强度。

传感器:温度或压力传感器,验证高温环境下的精度漂移和响应时间稳定性。

MEMS器件:微机电系统组件,检测高温下的机械运动精度和电气干扰。

电源模块:DC-DC转换器等,评估高温下的效率损失和热管理能力。

检测标准

依据ASTM E1131-20进行热机械可靠性评估。

遵循ISO 16750-4标准验证电气负载下的高温耐久性。

采用GB/T 2423.2规范执行恒定高温试验方法。

参考IEC 60068-2-2标准设定温度测试参数。

依据MIL-STD-883方法进行加速老化寿命预测。

遵循JEDEC JESD22-A104标准执行温度循环测试。

采用GB/T 31845规范监测绝缘材料高温性能。

参考IPC-TM-650标准评估PCB高温可靠性。

依据SAE J1752规范进行半导体器件高温筛选。

遵循JianCe 746B标准验证塑料材料高温耐受性。

检测仪器

高温老化箱:提供可控高温环境,维持温度范围至200°C精度±1°C,用于元件长时间暴露测试。

温度控制器:精确调节和监测老化箱温度,支持PID闭环控制,确保温度稳定性符合实验参数。

数据采集系统:记录元件电气参数实时变化,配备多通道输入和采样率10Hz,用于性能漂移分析。

电气测试仪:测量电阻、电容等参数在高低温下的偏移,提供分辨率0.1%和电压范围0-100V。

热成像仪:非接触式监测元件表面温度分布,具备红外分辨率320x240和测温范围-20°C至500°C。

环境模拟箱:集成温度和湿度控制,支持湿度范围10-95%RH精度±2%,用于湿热耦合老化。

老化测试机:自动执行循环加热和冷却序列,提供速率控制和数据存储,加速元件老化过程。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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