关断时间参数测量检测

检测项目

关断延迟时间：定义为栅极驱动信号下降沿至集电极电流下降至90%的时间间隔，检测阈值电压对延迟的影响。

电流下降时间：测量集电极电流从90%降至10%额定值的持续时间，分析不同结温下的变化特性。

电压上升时间：记录集电极-发射极电压从10%升至90%额定阻断电压的时域参数，评估dv/dt耐受能力。

反向恢复电荷：通过双脉冲测试法量化体二极管在关断过程中移除的载流子总量，单位μC。

关断能量损耗：计算电流下降与电压上升重叠区域的能量积分值，单位mJ。

热阻关断特性：在结温125℃至175℃范围内检测关断时间参数的温漂系数。

栅极电荷特性：测量关断过程Qg电荷总量及米勒平台持续时间，精度5nC。

拖尾电流衰减：针对IGBT器件检测集电极电流10%以下的衰减时间常数。

短路关断能力：在10μs短路条件下验证器件安全关断的响应时间阈值。

并联均流特性：多芯片并联时检测关断时间差异度，要求≤50ns偏差。

电磁兼容特性：测量关断过程产生的传导发射频谱，频率范围150kHz-30MHz。

检测范围

硅基IGBT模块：电压等级600V-6500V的工业变频器功率模块。

碳化硅MOSFET器件：新能源汽车电机控制器用1200V级分立器件。

氮化镓HEMT晶体管：适用于高频开关电源的650V增强型器件。

晶闸管类器件：高压直流输电用8kV以上光控晶闸管组件。

智能功率模块：集成驱动电路的变频空调压缩机控制模块。

功率集成芯片：包含MOSFET与驱动电路的单片式IC。

轨道交通变流器：牵引系统用3300V等级功率单元。

光伏逆变器模块：组串式逆变器用1500V三电平拓扑器件。

不间断电源系统：数据中心UPS用功率半导体堆栈。

电磁炉功率器件：20kHz高频谐振电路用IGBT单管。

检测标准

IEC60747-9半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管

JEDECJESD24-10功率晶体管开关时间测量规范

GB/T15291-2013半导体器件分立器件和集成电路第9部分：绝缘栅双极晶体管

IEC60749-25半导体器件机械和气候试验方法第25部分：温度循环

MIL-STD-750F半导体器件试验方法方法3471开关时间测试

GB/T4023-2015半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

IEC62047-27半导体器件微机电器件第27部分：射频MEMS开关测试

JESD282-B.01宽禁带半导体功率器件动态参数测试指南

检测仪器

高压差分探头：带宽≥200MHz，电压测量范围6000V，用于捕捉集电极电压瞬态波形。

电流传感器：响应时间＜10ns的罗氏线圈，额定电流5000A峰值，实时采集电流变化率。

双脉冲测试系统：提供可调直流母线电压（0-2000V）及电感负载（50-500μH），生成标准测试波形。

热阻测试仪：控制结温范围-40℃至+200℃，监测关断参数温漂特性。

高速示波器：采样率≥10GSa/s，配备四通道同步采集功能，时间测量精度100ps。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。