反向偏压安全裕度测试检测

检测项目

反向击穿电压测试：确定PN结介质击穿临界值参数；施加0-3000V阶梯电压，步进精度0.1%

反向漏电流特性分析：检测反向偏置状态载流子泄漏参数；测量范围1pA-10mA，分辨率0.1pA

热击穿点定位：识别温度诱发的击穿现象参数；温度控制范围-65℃~+300℃，精度0.5℃

安全工作区测绘：建立电压-电流-温度三维安全边界参数；采集1000点/秒动态数据

雪崩能量耐受度：量化载流子倍增效应极限参数；脉冲宽度10ns-100ms可调

瞬态反向恢复特性：捕捉关断过程电压过冲参数；时间分辨率1ns，带宽500MHz

偏压温度不稳定性：评估高温偏压应力退化效应参数；持续加压1000小时，温度175℃

介质层完整性验证：检测钝化层与界面失效参数；施加AC1kHz-1MHz扫描电压

热阻系数测定：计算结温与热耗散关系参数；热电偶精度0.1K

失效模式分析：识别烧毁/短路/参数漂移类型参数；结合显微成像与电参数关联分析

长期偏压老化：模拟持续反向应力寿命参数；加速因子计算依据Arrhenius模型

静电放电敏感度：验证ESD防护结构鲁棒性参数；接触放电8kV，空气放电15kV

检测范围

功率二极管：整流器与快速恢复二极管器件

硅基MOSFET：平面栅与沟槽栅功率场效应管

IGBT模块：绝缘栅双极型晶体管组合器件

碳化硅肖特基二极管：宽禁带半导体功率器件

氮化镓HEMT：高电子迁移率晶体管器件

晶闸管类器件：可控硅整流器与双向触发二极管

电源管理IC：AC-DC转换器与稳压器芯片

光伏逆变模块：太阳能发电系统功率单元

车规级功率器件：新能源汽车电控系统组件

射频功率器件：基站用LDMOS与GaAs器件

高压集成电路：≥600V工作电压芯片

光电器件：APD雪崩光电二极管接收单元

检测标准

JESD22-A108F温度偏压寿命试验规范

IEC60749-25半导体器件机械与气候试验方法

GB/T17574-2021半导体器件分立器件通用规范

AEC-Q101车用分立器件应力测试认证

MIL-STD-750-1半导体分立器件测试方法

JEDECJEP184功率器件安全工作区指南

IEC60747-9分立器件绝缘栅晶体管测试

GB/T4587-94双极型晶体管测试方法

ASTMF1241功率晶体管热特性标准

IEC62047-11半导体器件可靠性试验规程

检测仪器

高精度源表模块：提供0-3000V可编程偏压源，电流测量精度0.02%

热阻测试系统：集成T3ster瞬态测温技术，结温分辨率0.01℃

动态参数分析仪：捕获纳秒级电压/电流瞬态波形，采样率10GS/s

高温反偏试验箱：温控范围-70℃~+300℃，支持多工位并行测试

雪崩能量测试平台：产生100A/100ns短脉冲，能量测量误差3%

介质耐压分析仪：执行AC/DC击穿测试，电压爬升速率0.1V/s-500V/s可调

半导体特性分析系统：支持CV/IV多参数扫描，最小电流量程1fA

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。