硅单晶抛光片检测

检测样品范围

硅单晶抛光片。

测试项目

掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性、直径、表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径)、切口尺寸、参考面位置和切口位置、导电类型、电阻率、弯曲度、翘曲度、总平整度、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属含量、体金属(铁)含量、边缘轮廓、表面质量、局部光散射体等。

检测标准

GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片

GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片

GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片

GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片

GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法

相关试验方法

弯曲度的测量按GB/T 6619的规定进行。

翘曲度的测量按GB/T 6620 或GB/T 32280的规定进行，仲裁时按GB/T 32280的规定进行。

总平整度的测量按GB/T 6621或GB/T 29507的规定进行，仲裁时按GB/T 29507的规定进行。

局部平整度的测量按GB/T 29507的规定进行。

氧化诱生缺陷的检验按GB/T 4058的规定进行。

表面金属含量的测定按GB/T 24578的规定进行，或按供需双方协商的方法进行。