光刻胶检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-05-06  

光刻胶检测是半导体制造与微电子加工中的关键质量控制环节,主要针对其成分纯度、物理性能及工艺适配性进行系统性分析。核心检测项目包括光敏特性、黏度稳定性、膜厚均匀性及污染物含量等指标,需通过光谱分析、色谱分离及精密仪器测量等技术手段实现精准量化评估。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

光刻胶检测涵盖基础物化特性与工艺性能两大维度:

化学成分分析:树脂单体含量测定、光引发剂浓度验证、溶剂残留量检测

物理性能测试:动态黏度(25℃±0.1℃)、固含量(精度±0.5%)、折射率(波长365nm)

光学特性评估:紫外吸收光谱(190-450nm)、曝光能量阈值(mJ/cm²)、显影速率(nm/s)

工艺适配性验证:线宽重复性(3σ≤5%)、侧壁垂直度(88-92°)、缺陷密度(≤0.1/cm²)

污染物控制:金属离子总量(Na+K+Fe≤10ppb)、颗粒物粒径分布(>0.2μm颗粒≤50/mL)

检测范围

分类维度 具体类型 适用工艺节点
化学体系 酚醛树脂-重氮萘醌体系(DNQ-Novolac) g线/i线光刻
化学放大抗蚀剂(CAR) KrF/ArF光刻
极紫外抗蚀剂(EUV Resist) EUV光刻(13.5nm)
应用领域 集成电路制造(前道制程) 晶圆级图形化
封装测试(后道制程) 凸块/TSV工艺
特殊功能型:双层抗蚀剂系统(BARC/TARC)、电子束直写胶(EBR)、纳米压印胶(NIL)

检测方法

光谱分析法

傅里叶变换红外光谱(FTIR):官能团定性分析(分辨率4cm⁻¹)

紫外-可见分光光度计:光敏剂吸收峰定位(波长精度±0.5nm)

X射线光电子能谱(XPS):表面元素组成测定(探测深度5-10nm)

色谱分离技术

凝胶渗透色谱(GPC):分子量分布测定(PS标样校准)

高效液相色谱(HPLC):单体残留量定量(C18反相柱)

离子色谱(IC):阴/阳离子污染物检测(检出限0.1ppb)

显微表征技术

扫描电镜(SEM):图形形貌观测(加速电压1-5kV)

原子力显微镜(AFM):表面粗糙度测量(分辨率0.1nm)

共聚焦显微镜:膜厚三维分布分析(Z轴精度±5nm)

物理性能测试法

旋转粘度计:剪切速率相关性测试(25℃恒温控制)

热重分析仪(TGA):热分解温度测定(升温速率10℃/min)

椭偏仪:光学常数测量(波长范围193-633nm)

检测仪器

HPLC系统

配备二极管阵列检测器与自动进样器,实现树脂组分定量分析(保留时间重复性RSD<0.5%)

FTIR光谱仪

采用ATR附件进行无损检测,快速识别抗蚀剂主成分特征峰(波数范围4000-400cm⁻¹)

场发射SEM

搭配能谱仪(EDS)进行缺陷元素分析,工作距离4-8mm时可获得纳米级形貌图像

同步热分析仪

TGA-DSC联用系统可同步测定热失重与相变温度(温度精度±0.1℃)

多模式AFM系统

支持接触式/轻敲式扫描模式,表面粗糙度测量范围Ra 0.1-100nm

全自动椭偏仪

配备多波长光源与自动样品台,可建立n/k值数据库用于膜厚建模计算

激光颗粒计数器

采用光散射原理实现0.1-10μm粒径分布统计(采样流量100mL/min)

双通道IC系统

配置电导检测器与抑制器模块,可同步分析阴阳离子污染物浓度梯度变化曲线图。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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