硅晶圆检测

检测项目

硅晶圆质量评估包含五大核心指标：几何参数测量要求直径公差≤±0.2mm，厚度均匀性控制在±1μm以内；表面缺陷检测需识别≥0.12μm的微颗粒污染及线宽≤0.5μm的划痕；电学特性测试包含电阻率（0.001-100Ω·cm）和载流子寿命（≥1ms）；化学成分分析重点监控氧含量（10¹⁷-10¹⁸ atoms/cm³）和碳浓度（≤5×10¹⁶ atoms/cm³）；机械性能测试涉及弯曲强度（≥200MPa）和纳米硬度（11-12GPa）。

检测范围

检测对象覆盖200mm/300mm标准晶圆及450mm研发样品，包括CZ法/FZ法单晶硅片。适用阶段涵盖：单晶生长后的原生缺陷评估；抛光后的表面粗糙度（Ra≤0.1nm）检测；外延生长前的衬底质量验证；离子注入后的损伤层分析；器件加工中的翘曲度（≤50μm）监控。特殊场景包含SOI晶圆的埋氧层厚度（145±5nm）测量及应变硅的晶格畸变率分析。

检测方法

几何参数采用双频激光干涉仪实现±5nm重复精度测量；表面形貌通过白光干涉仪获取0.1nm垂直分辨率的三维拓扑数据；缺陷识别使用深紫外（DUV）光学显微镜达到0.13μm光学分辨率；电学特性测试中，非接触式涡流法用于薄层电阻测量（精度±1%），微波光电导衰减（μ-PCD）实现载流子寿命三维分布成像；化学成分分析采用低温傅里叶变换红外光谱（FTIR）测定间隙氧含量，二次离子质谱（SIMS）检测重金属污染至ppb级。

检测仪器

关键设备包括：具有256点/秒采样速率的自动厚度分选机；配备365nm汞灯光源的全自动缺陷扫描系统；支持四轴联动的表面轮廓仪（Z轴分辨率0.01nm）；高温霍尔效应测试系统（温度范围77-800K）；配备四级杆质量分析器的GD-MS痕量元素分析仪；可实现100mm×100mm视场拼接的激光共聚焦显微镜。专用设备包含晶格畸变X射线拓扑分析仪（Cu Kα辐射源）和亚微米级电子束探针系统。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。