多晶硅质量全解析，结果检测

检测项目

多晶硅质量评价体系包含五大核心指标：

纯度分析：金属杂质（Fe、Cu、Al等11种元素）含量≤0.1ppbw；氧碳含量≤5×10¹⁶ atoms/cm³

电学性能：电阻率0.5-20Ω·cm（光伏级），载流子寿命＞100μs

晶体结构：晶粒尺寸50-300μm；位错密度＜10³/cm²

表面特性：表面粗糙度Ra≤0.5μm；金属污染≤1×10¹⁰ atoms/cm²

：抗弯强度≥120MPa；维氏硬度1100-1300HV

检测范围

检测方法

痕量杂质分析：

微波光电导衰减（μ-PCD）测量少子寿命

透射电子显微镜（TEM）观测位错密度

原子力显微镜（AFM）三维形貌重建

检测仪器

辉光放电质谱仪（GDMS）

型号示例：Thermo Scientific ELEMENT GD

缺陷浓度分辨率10^{10
温度范围10-400K}

配备高温附件（RT-1600℃）

支持Hall效应测试模式

.equipment-grid{display:grid;grid-template-columns:repeat(2,1fr);gap:20px}.instrument{padding:15px;border:1px solid #ddd}

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。