多晶硅辉光放电质谱检测

检测项目

总金属杂质含量、非金属杂质总量、硼元素浓度、磷元素浓度、碳元素含量、氧元素含量、氮元素含量、铁元素浓度、铜元素浓度、镍元素浓度、铬元素浓度、锌元素浓度、铝元素浓度、钠元素浓度、钾元素浓度、钙元素浓度、镁元素浓度、钛元素浓度、锰元素浓度、钼元素浓度、钨元素浓度、钴元素浓度、银元素浓度、金元素浓度、镓元素浓度、砷元素浓度、锑元素浓度、铋元素浓度、硫元素含量、氯元素含量、氟元素含量、氢元素含量。

检测范围

太阳能级多晶硅块料、电子级多晶硅颗粒、单晶硅棒切割料、半导体晶圆碎片、多晶硅铸锭边皮料、硅烷裂解沉积样品、Czochralski法单晶硅棒区熔料、流化床法颗粒硅成品、西门子法棒状硅断面样品、酸洗后多晶硅粉末样品、气相沉积薄膜样品、定向凝固铸锭中心料区样品、电子束熔炼提纯样品区熔料头尾段样品。

检测方法

辉光放电质谱法（GDMS）通过低压氩气环境产生稳定等离子体溅射样品表面，离子经质量分析器分离后由检测器定量采集信号。采用基体匹配标准物质建立校准曲线消除基体效应，动态反应池技术降低多原子离子干扰。脉冲计数与模拟信号双模式采集实现10^-12~10^-6量程覆盖。

检测标准

GB/T24582-2021多晶硅中痕量金属杂质的测定辉光放电质谱法
ASTMF1720-21辉光放电质谱法测定高纯硅中杂质元素的试验方法
ISO18114:2021表面化学分析-二次离子质谱-辉光放电质谱测定元素的灵敏度因子
SEMIPV22-0217光伏级多晶硅材料杂质测试方法
IEC60749-28:2020半导体器件-机械和环境试验方法-第28部分：辉光放电质谱分析
JISH0605:2019硅中杂质元素的辉光放电质谱分析法
DIN50451-8:2018半导体工艺材料测试-第8部分：多晶硅中痕量元素的GDMS测定
GB/T37049-2018电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定辉光放电质谱法
ASTME1251-17a辉光放电原子发射光谱法分析金属的标准指南
ISO14707:2022表面化学分析-辉光放电发射光谱法通则

检测仪器

高分辨率扇形磁场质谱仪（HR-GDMS）配备双聚焦质量分析器实现10⁵质量分辨率；射频辉光放电源（RF-GD）支持导体/非导体样品直接分析；四级杆碰撞反应池质谱仪（CRC-GDMS）采用动态反应气体消除Ar₂⁺等干扰；全自动样品导入系统实现连续72小时无人值守分析；法拉第杯/电子倍增器双检测器配置保障宽动态范围测量。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。