可控硅检测

检测项目

可控硅核心检测项目包含六大类：

静态参数测试：触发电压（V_GT）、触发电流（I_GT）、维持电流（I_H）、通态峰值电压（V_TM）

动态特性测试：开通时间（t_on）、关断时间（t_q）、临界电压上升率（dv/dt）

热性能测试：结温耐受（T_jmax）、热阻（R_thJC）、功率循环寿命

绝缘特性测试：阻断电压（V_DRM/V_RRM）、漏电流（I_DRM）

机械结构分析：芯片焊接完整性、引线键合强度、封装气密性

失效模式验证：过压击穿测试、过流耐受试验、ESD敏感度分级

检测范围

适用器件类型包含：

按结构分类

单向可控硅（SCR）

双向可控硅（TRIAC）

门极可关断晶闸管（GTO）

按功率等级分类

低压小功率器件（＜500V/10A）

中压中功率器件（500-1600V/50-500A）

高压大功率模块（＞1600V/1000A）

应用场景覆盖

工业电机调速装置

固态继电器控制电路

不间断电源系统（UPS）

新能源变流设备

检测方法

静态参数测试法

依据IEC 60747-6标准搭建测试电路，采用四线制测量消除引线电阻影响。通过可编程电源施加阶梯电压/电流信号，记录器件导通/关断临界值。

动态特性分析法

使用双脉冲测试平台模拟实际工况：在电感负载回路中注入特定di/dt脉冲信号，利用高速示波器捕获电压电流波形并计算开关时间参数。

热阻测量法

基于JESD51-1标准构建恒流加热环境：通过校准加热功率与结温变化关系曲线，采用瞬态热测试仪计算R_thJC/R_thJA

失效加速试验法

执行JEDEC JESD22-A108E温度循环试验：在-55℃~150℃区间进行1000次循环冲击后复测电气参数漂移量。

微观结构检验法

采用X射线断层扫描（CT）无损检测芯片焊接层空洞率；使用金相显微镜观察键合线界面冶金状态。

检测仪器

Tektronix PA3000功率分析仪

支持μs级动态波形捕获与谐波分析功能，满足dv/dt≥1000V/μs的高精度测量需求。

Keysight B1505A功率器件分析仪

集成10kV/1500A测试模块的半导体参数测试系统，可完成阻断特性曲线自动扫描。

Siemens DCA Pro热特性测试平台