可控硅性能检测

检测项目

1. 触发特性测试：验证门极触发电压（V_GT）与触发电流（I_GT）的临界值

2. 维持电流测定：确定器件维持导通状态的最小阳极电流（I_H）

3. 通态压降检测：测量额定电流下的正向电压降（V_TM）

4. 阻断特性分析：评估正向/反向重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）耐受能力

5. 动态参数测试：包含开通时间（t_on）与关断时间（t_off）的精确测量

6. 热阻特性验证：计算结到外壳的热阻系数（R_thJC）

7. 浪涌电流承受能力：模拟非重复性过载工况下的失效阈值

8. 绝缘耐压试验：验证端子间及端子与外壳的介电强度

检测范围

1. 器件类型覆盖：单向/双向可控硅（SCR/TRIAC）、门极可关断晶闸管（GTO）

2. 功率等级区分：常规器件（＜500A）与大功率模块（≥500A）

3. 封装形式适配：TO-220/TO-247等分立封装及模块化封装结构

4. 应用场景对应：电机驱动装置、调光系统、UPS电源等典型负载环境

5. 温度适应范围：-55℃至+150℃工作温度区间的特性漂移量测

6. 特殊工况模拟：高频开关条件下的动态损耗特性评估

7. 失效模式分析：包括热击穿、闩锁效应等故障机理研究

8. 批次一致性检验：同一生产批次器件的参数离散度统计分析

检测方法

1. 静态参数测试法：采用四线制Kelvin连接消除接触电阻影响

2. 动态特性捕获法：通过双脉冲测试平台获取开关瞬态波形

3. 热特性分析法：结合红外热成像与热电偶测温的复合测量技术

4. 加速寿命试验法：依据JESD22-A108标准进行高温反偏（HTRB）测试

5. 浪涌冲击测试法：基于IEC 61000-4-5标准构建8/20μs浪涌波形

6. 绝缘电阻测量法：使用500V DC兆欧表执行端子间绝缘测试

7. X射线检测法：对封装内部结构进行非破坏性缺陷扫描

8. 参数分布统计法：运用六西格玛工具分析生产批次CPK值

检测仪器

1. 半导体参数分析仪：Keysight B1505A功率器件分析系统

2. 动态特性测试平台：Tektronix AFG31000系列任意波形发生器

3. 热阻测试系统：Siemens PLM QFI InfraScope II热分析仪

4. 高精度示波器：Keysight DSOX1204A带隔离差分探头套件

5. 环境试验箱：ESPEC TABAI PV-212恒温恒湿箱

6. 浪涌发生器：EM TEST UCS 500N模拟雷击浪涌设备

7. X射线检测仪：Nordson DAGE XD7600NT金刚石成像系统

8. 自动分选机：TESEC PS8000晶圆级参数分类系统

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。