碲化铝检测

检测项目

碲化铝检测体系包含以下核心项目：

化学成分分析：精确测定Al₂Te₃分子式中碲/铝元素配比度；定量分析氧、碳、硫等杂质元素含量；识别重金属残留物（铅、镉、汞）

晶体结构表征：测定立方晶系参数（晶格常数a=6.21Å）；评估单晶完整性及多晶取向分布；分析位错密度与晶界缺陷

表面形貌观察：测量表面粗糙度（Ra≤0.5μm）；统计孔隙率（＜3%）；评估镀层结合强度（划痕法≥20N）

热稳定性测试：测定相变温度点（熔点732℃±5℃）；计算热膨胀系数（CTE 4.8×10^-6/K）；评估高温氧化速率（800℃下增重≤0.15mg/cm²/h）

电学性能测试：测量载流子浓度（10¹⁷-10¹⁹ cm^-3）；计算迁移率（≥150 cm²/V·s）；确定禁带宽度（2.2eV±0.1eV）

检测范围

本检测方案适用于以下应用场景：

半导体材料制备：用于MBE外延生长前的原料纯度验证（纯度≥6N）及掺杂均匀性控制

光学镀膜材料：评估红外窗口镀膜（3-5μm波段透过率＞85%）的厚度均匀性（公差±5nm）及应力分布

热电材料开发：测定ZT值（≥1.2@500K）所需的热导率（＜2W/m·K）与塞贝克系数组合参数

电子封装材料：验证热界面材料的导热系数（＞25W/m·K）与热循环稳定性（-55℃~150℃ 1000次循环）

科研样品表征：支持纳米线阵列（直径50-200nm）的定向生长质量评估及异质结界面分析

检测方法

主要采用以下标准化检测技术：

X射线荧光光谱法（XRF）：依据GB/T 16597-2019进行元素定量分析，配备Rh靶光源（50kV/60mA），采用FP法校正基体效应

X射线衍射法（XRD）：按ISO 14702:2013执行物相分析，使用Cu-Kα辐射（λ=1.5406Å），扫描速度0.02°/s，角度范围10°-80°

扫描电子显微镜法（SEM）：依据ASTM E1508-12进行表面形貌观测，工作距离8-10mm，加速电压15kV，配合EDS进行微区成分测绘

差示扫描量热法（DSC）：遵循GB/T 19466.3-2004测定热特性参数，升温速率10℃/min，氮气保护流量50mL/min

霍尔效应测试法：采用范德堡四探针配置测量电学参数，磁场强度0.5T，电流源输出1mA精度±0.1%

检测仪器

标准实验室配置如下设备系统：

波长色散型X射线荧光光谱仪：配备4kW超尖锐端窗X光管及五晶体分光系统，元素检测限达ppm级

高分辨率X射线衍射仪：配置双轴测角仪（精度±0.0001°）及石墨单色器，最小可测晶格畸变0.0005Å

场发射扫描电子显微镜：搭载二次电子/背散射电子双探测器系统，最高分辨率达1nm@15kV

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。