宇航处理器器件单粒子试验检测

检测项目

单粒子翻转阈值测试、多位翻转率测定、闩锁效应触发能量测量、功能中断概率分析、截面曲线建模、错误注入验证、电荷收集效率评估、临界电荷计算、LET值标定、剂量深度关系研究、温度效应补偿测试、动态偏置应力试验、时钟抖动敏感性检测、供电瞬态响应监测、错误纠正机制验证、重离子径迹仿真、质子直接电离试验、三维器件建模验证、工艺节点敏感性分级、封装屏蔽效能评估、多比特翻转关联分析、系统级效应模拟、时序违例概率统计、功耗异常监测、复位电路有效性验证、错误传播路径追踪、抗干扰裕度测定、失效恢复时间测量、辐射累积效应分离测试、器件老化耦合试验。

检测范围

星载计算机主控芯片、抗辐射加固FPGA、航天级SRAM存储器、星敏感器CMOS图像传感器、导航系统ASIC芯片、大容量NAND闪存模块、电源管理集成电路、高速SerDes接口芯片、星间链路射频前端模块、姿态控制DSP处理器、星载交换机SoC芯片、抗辐射ADC/DAC转换器、宇航用EEPROM存储器、时钟树网络芯片组、总线驱动隔离器件、功率MOSFET模块、光电耦合器件芯粒、微波毫米波MMIC芯片、抗辐射EEPROM存储器片内纠错单元加固型微控制器内核模块三维堆叠封装存储器件多通道数据采集ASIC高精度温补晶振电路抗辐射DC-DC电源模块低噪声放大器模块星载计算机冗余表决单元空间用抗辐射时钟分配芯片宇航级SDRAM存储阵列抗SEU加固型锁相环电路深亚微米工艺处理器内核抗辐射加固IO接口单元。

检测方法

重离子加速器辐照法：利用同步加速器产生高能重离子束流模拟宇宙射线作用，通过调节LET值（线性能量转移）评估器件敏感区域。

质子回旋加速试验：采用230MeV质子束流模拟地球辐射带环境，测定器件的位移损伤与电离损伤复合效应。

脉冲激光模拟技术：使用飞秒激光束局部注入等效电荷量，实现单粒子效应的无损定位诊断。

蒙特卡罗仿真建模：基于GEANT4工具包构建三维器件结构模型，预测不同轨道参数下的软错误率。

动态功能测试法：在辐照过程中实时监测处理器的指令执行正确性及流水线状态机完整性。

扫描电子显微镜定位：通过EBIC（电子束感应电流）技术精确定位单粒子效应敏感节点。

热中子辐照试验：评估硼掺杂结构在宇宙中子环境下的二次粒子发射风险。

检测标准

GJB7242-2011半导体器件重离子单粒子效应试验方法

MIL-STD-750-3半导体器件试验方法第3部分：辐射加固保证

ESA/SCC25100欧洲空间用电子元件单粒子效应测试规范

JESD89A固态存储器软错误率测试行业标准

ASTMF1192重离子加速器单粒子效应测试规程

ECSS-Q-ST-60-15C空间产品单粒子效应防护设计验证要求

GB/T34938-2017航天电子元器件抗辐射设计要求

NASAEEE-INST-002宇航电子器件辐射效应测试指南

ISO21348空间环境（天然与人工）分类标准

SJ20973-2007半导体集成电路抗单粒子效应测试方法

检测仪器

串列式静电加速器：可产生10-100MeV/u的重离子束流，配备真空靶室实现精确LET值控制。

质子回旋加速系统：输出能量范围50-400MeV的质子束流束斑均匀性达5%。

三维激光扫描系统：集成1064nm飞秒激光源与纳米级位移平台实现亚微米级电荷注入。

动态参数分析仪：具备100ps时间分辨率的瞬态电流捕捉能力支持SEFI事件捕获。

低温真空探针台：工作温度范围4K-400K满足极端环境下的原位特性表征。

同步辐射X射线源：用于软错误率加速试验的等效LET值标定。

多通道数据采集系统：128通道并行记录能力支持复杂SoC器件的全功能监测。

三维断层扫描SEM：结合FIB刻蚀技术实现纳米级敏感节点结构解析。

辐射场均匀性监测仪：采用PIN二极管阵列实时监控束流分布均匀度。

故障注入仿真平台：支持VHDL/Verilog级软错误传播建模的系统级验证工具。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。