硅通孔电特性验证检测

检测项目

通孔电阻分布测试：测量单个通孔及阵列的直流电阻值，检测参数包含阻值范围1mΩ~10Ω，偏差率±5%

漏电流特性分析：评估介质层绝缘性能，检测参数设定偏压0-50V，漏电流分辨率0.1pA

电流承载能力验证：测定通孔结构最大载流密度，检测参数包含持续电流0-5A，温升ΔT≤10℃

介电强度试验：验证介质层耐压特性，检测参数采用直流击穿电压0-500V，升压速率10V/s

电容特性测量：分析信号传输寄生效应，检测参数频率范围1kHz-1MHz，电容精度±0.1pF

电感参数量化：评估高频阻抗特性，检测参数包含自感/互感测量，频率范围100MHz-40GHz

阶梯覆盖率检测：确认导电层均匀性，检测参数设定膜厚测量精度±5nm，角度偏差±0.5°

界面粘附强度测试：评估金属-介质层结合力，检测参数采用剪切力范围0-50kgf，分辨率0.01N

热循环可靠性验证：模拟工况下的电学稳定性，检测参数设定温度循环-55℃~150℃，循环次数＞500次

电迁移失效分析：测定电流负载寿命，检测参数包含电流密度＞106A/cm²，失效判定电阻偏移≥10%

检测范围

硅中介层互连结构：晶圆级三维集成中的垂直导电通道

2.5D封装基板：高频信号传输用硅转接板内微孔阵列

存储器堆叠模块：3D NAND闪存中的电荷传输通道

传感器集成系统：MEMS器件与ASIC间的信号通路

功率器件封装：IGBT模块散热通孔导电结构

射频前端模组：毫米波天线阵列馈电网络

光电混合集成：硅光芯片激光耦合通道

先进处理器封装：多芯片异构集成互连结构

车规级控制单元：高温环境用可靠互连通道

航天电子系统：抗辐照加固通孔结构

检测标准

SEMI MF1521-1107硅通孔电阻测试规范

JEDEC JESD22-A108C温度循环可靠性标准

IEC 62047-21微电子器件界面强度测试方法

GB/T 4937-2019半导体器件机械和环境试验方法

ASTM F76介电常数和介质损耗测试规程

IPC TM-650 2.6.25通孔电流承载能力测试

ISO 16790聚合物基介电材料击穿强度测定

检测仪器

四探针测试系统：接触电阻测量，支持四点法电阻检测，分辨率0.1mΩ

高精度参数分析仪：电学特性综合测试，具备100MHz-40GHz阻抗分析功能

扫描电子显微镜：结构形貌观测，配备能谱仪实现元素成分分析

热机械分析仪：界面可靠性验证，温度控制范围-70℃~500℃

原子力显微镜：表面特性表征，垂直分辨率0.1nm，支持导电模式测量

高电流源测量单元：电迁移测试，电流输出范围0-100A，电压监测精度±0.5%

红外热成像仪：局部温升监测，热灵敏度≤0.03℃，空间分辨率15μm

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。