化学键合X射线光电子能谱检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-08-28  

化学键合X射线光电子能谱检测是一种基于光电效应的表面分析技术,通过测量光致发射电子的能量分布,实现对材料表面1-10nm范围内元素组成、化学态及电子结构的定性定量分析。检测重点涵盖元素定性识别、化学态分辨、深度分布剖析、表面污染检测等核心要点,广泛应用于材料表面改性、薄膜性能评估及界面反应研究等领域。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

元素定性定量分析:识别样品表面存在的元素种类,测定各元素原子百分比含量。具体检测参数:检测元素范围Li(2s)-U(4f),定量误差≤±5%(原子百分比≥0.1%)。

化学态分辨分析:通过化学位移识别元素的具体化学结合状态。具体检测参数:能量分辨率≤0.5eV(Al Kα激发源),可区分同一元素不同氧化态(如Fe²⁺与Fe³⁺)或官能团(如-OH与-C=O)。

深度剖析检测:通过离子溅射逐层剥离样品,获取元素沿深度方向的分布信息。具体检测参数:溅射速率0.1-5nm/min(Ar⁺离子,能量500-2000eV),深度分辨率≤5nm(多层结构样品)。

表面污染检测:定量分析样品表面的外来污染物元素及含量。具体检测参数:检测限≤10¹² atoms/cm²(轻元素),≤10¹⁰ atoms/cm²(重元素)。

界面元素分布分析:测定异质结界面处元素的横向与纵向分布特征。具体检测参数:横向空间分辨率≤10μm(微区分析模式),界面扩散宽度测量精度≤0.5nm。

纳米薄膜成分分析:针对厚度1-100nm薄膜的元素组成与均匀性检测。具体检测参数:薄膜厚度测量误差≤±0.5nm(结合掠入射模式),成分均匀性统计面积≥100μm×100μm。

氧化层厚度测量:通过Si 2p或金属氧化态峰拟合计算绝缘层/金属表面氧化层厚度。具体检测参数:氧化层厚度测量范围1-50nm,误差≤±0.3nm(SiO₂/Si体系)。

掺杂浓度测定:定量分析半导体材料中掺杂元素的浓度及分布。具体检测参数:掺杂元素检测限≤10¹⁶ atoms/cm³(如B、P掺杂Si),深度分布采样间隔≤1nm。

有机官能团分析:识别聚合物或有机材料表面的官能团类型及相对含量。具体检测参数:结合能分辨率≤1.0eV(C 1s主峰半高宽),可检测C-C、C-O、C=O、O-C=O等官能团。

微区成分成像:获取样品表面特定区域的元素分布图像。具体检测参数:成像分辨率≤5μm(二次电子成像同步采集),元素分布图像素尺寸≥2048×2048。

检测范围

半导体材料:硅片、化合物半导体(GaN、InP)外延层及器件表面,用于分析掺杂分布、界面态及氧化层质量。

高分子聚合物:聚乙烯、聚酰亚胺等薄膜及涂层,检测表面改性效果(如等离子体处理后官能团变化)。

金属材料:不锈钢、铝合金等表面处理层(如镀层、阳极氧化膜),分析元素扩散及界面反应。

纳米材料:量子点、纳米颗粒及纳米复合材料,测定表面包覆层成分及纳米颗粒分散均匀性。

能源材料:锂离子电池正极材料(LiCoO₂)、催化剂(Pt/C)表面,分析活性物质分布及退化机制。

生物医学材料:钛合金植入体表面羟基磷灰石涂层、聚合物医用膜,检测生物相容性相关元素(Ca、P)分布。

电子器件:集成电路互连层、MEMS传感器表面,评估金属布线腐蚀及介质层完整性。

光学薄膜:增透膜(MgF₂)、滤光片(TiO₂/SiO₂多层膜),分析膜层成分均匀性及界面缺陷。

腐蚀产物:钢铁、铜合金大气腐蚀层,识别腐蚀产物组成(如FeOOH、Cu₂O)及环境影响因素。

环境污染物:大气颗粒物(PM2.5)、水体沉积物表面,测定重金属(Pb、Cd)及有机污染物(PAHs)分布。

检测标准

ASTM E1078-14 表面化学分析 X射线光电子能谱法 一般程序。

ISO 15472:2001 表面化学分析 X射线光电子能谱仪 性能评估。

GB/T 25186-2010 半导体材料 表面分析 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的采样深度测定。

GB/T 32959-2016 纳米技术 纳米材料X射线光电子能谱表征方法。

ASTM D3736-03(2014) 表面化学分析 聚合物表面的X射线光电子能谱分析。

ISO 10731:1994 表面化学分析 金属和半导体表面的X射线光电子能谱法。

GB/T 18593-2001 电子探针和扫描电子显微镜 X射线能谱定量分析方法(部分条款适用于XPS定量)。

ASTM E1133-03(2014) 表面化学分析 X射线光电子能谱法 绝缘样品荷电中和的标准试验方法。

ISO 16243:2002 表面化学分析 X射线光电子能谱法 表面污染的分析。

GB/T 30707-2014 材料表面化学成分分析方法 X射线光电子能谱法通则。

检测仪器

X射线源(单色化Al Kα源):采用石英晶体单色器过滤特征X射线,输出能量1486.6eV的单色光,功率15-200W可调,用于激发样品表面价电子和内层电子。

半球形能量分析器:通过静电场对光电子动能进行筛选,能量分辨率≤0.5eV(在全动能范围10-1000eV内),用于区分不同结合能的光电子信号。

氩离子溅射枪:配备质量流量控制器调节Ar⁺离子束流,能量范围500-2000eV,束流密度1-5μA/cm²,通过物理溅射逐层剥离样品表面,实现深度方向成分分析。

紫外光电子能谱(UPS)模块:集成He I(21.2eV)和He II(40.8eV)共振线光源,用于激发样品价带电子,结合XPS数据可分析材料的电子结构(如能带排列)。

微区分析探头:配备聚焦光学系统,将光电子收集立体角限制在≤0.1sr,空间分辨率≤10μm,支持对样品表面微小区域(如微区缺陷、相界)进行元素成分成像及定点分析。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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