项目数量-432
化学键合X射线光电子能谱检测
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2025-08-28
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
元素定性定量分析:识别样品表面存在的元素种类,测定各元素原子百分比含量。具体检测参数:检测元素范围Li(2s)-U(4f),定量误差≤±5%(原子百分比≥0.1%)。
化学态分辨分析:通过化学位移识别元素的具体化学结合状态。具体检测参数:能量分辨率≤0.5eV(Al Kα激发源),可区分同一元素不同氧化态(如Fe²⁺与Fe³⁺)或官能团(如-OH与-C=O)。
深度剖析检测:通过离子溅射逐层剥离样品,获取元素沿深度方向的分布信息。具体检测参数:溅射速率0.1-5nm/min(Ar⁺离子,能量500-2000eV),深度分辨率≤5nm(多层结构样品)。
表面污染检测:定量分析样品表面的外来污染物元素及含量。具体检测参数:检测限≤10¹² atoms/cm²(轻元素),≤10¹⁰ atoms/cm²(重元素)。
界面元素分布分析:测定异质结界面处元素的横向与纵向分布特征。具体检测参数:横向空间分辨率≤10μm(微区分析模式),界面扩散宽度测量精度≤0.5nm。
纳米薄膜成分分析:针对厚度1-100nm薄膜的元素组成与均匀性检测。具体检测参数:薄膜厚度测量误差≤±0.5nm(结合掠入射模式),成分均匀性统计面积≥100μm×100μm。
氧化层厚度测量:通过Si 2p或金属氧化态峰拟合计算绝缘层/金属表面氧化层厚度。具体检测参数:氧化层厚度测量范围1-50nm,误差≤±0.3nm(SiO₂/Si体系)。
掺杂浓度测定:定量分析半导体材料中掺杂元素的浓度及分布。具体检测参数:掺杂元素检测限≤10¹⁶ atoms/cm³(如B、P掺杂Si),深度分布采样间隔≤1nm。
有机官能团分析:识别聚合物或有机材料表面的官能团类型及相对含量。具体检测参数:结合能分辨率≤1.0eV(C 1s主峰半高宽),可检测C-C、C-O、C=O、O-C=O等官能团。
微区成分成像:获取样品表面特定区域的元素分布图像。具体检测参数:成像分辨率≤5μm(二次电子成像同步采集),元素分布图像素尺寸≥2048×2048。
检测范围
半导体材料:硅片、化合物半导体(GaN、InP)外延层及器件表面,用于分析掺杂分布、界面态及氧化层质量。
高分子聚合物:聚乙烯、聚酰亚胺等薄膜及涂层,检测表面改性效果(如等离子体处理后官能团变化)。
金属材料:不锈钢、铝合金等表面处理层(如镀层、阳极氧化膜),分析元素扩散及界面反应。
纳米材料:量子点、纳米颗粒及纳米复合材料,测定表面包覆层成分及纳米颗粒分散均匀性。
能源材料:锂离子电池正极材料(LiCoO₂)、催化剂(Pt/C)表面,分析活性物质分布及退化机制。
生物医学材料:钛合金植入体表面羟基磷灰石涂层、聚合物医用膜,检测生物相容性相关元素(Ca、P)分布。
电子器件:集成电路互连层、MEMS传感器表面,评估金属布线腐蚀及介质层完整性。
光学薄膜:增透膜(MgF₂)、滤光片(TiO₂/SiO₂多层膜),分析膜层成分均匀性及界面缺陷。
腐蚀产物:钢铁、铜合金大气腐蚀层,识别腐蚀产物组成(如FeOOH、Cu₂O)及环境影响因素。
环境污染物:大气颗粒物(PM2.5)、水体沉积物表面,测定重金属(Pb、Cd)及有机污染物(PAHs)分布。
检测标准
ASTM E1078-14 表面化学分析 X射线光电子能谱法 一般程序。
ISO 15472:2001 表面化学分析 X射线光电子能谱仪 性能评估。
GB/T 25186-2010 半导体材料 表面分析 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的采样深度测定。
GB/T 32959-2016 纳米技术 纳米材料X射线光电子能谱表征方法。
ASTM D3736-03(2014) 表面化学分析 聚合物表面的X射线光电子能谱分析。
ISO 10731:1994 表面化学分析 金属和半导体表面的X射线光电子能谱法。
GB/T 18593-2001 电子探针和扫描电子显微镜 X射线能谱定量分析方法(部分条款适用于XPS定量)。
ASTM E1133-03(2014) 表面化学分析 X射线光电子能谱法 绝缘样品荷电中和的标准试验方法。
ISO 16243:2002 表面化学分析 X射线光电子能谱法 表面污染的分析。
GB/T 30707-2014 材料表面化学成分分析方法 X射线光电子能谱法通则。
检测仪器
X射线源(单色化Al Kα源):采用石英晶体单色器过滤特征X射线,输出能量1486.6eV的单色光,功率15-200W可调,用于激发样品表面价电子和内层电子。
半球形能量分析器:通过静电场对光电子动能进行筛选,能量分辨率≤0.5eV(在全动能范围10-1000eV内),用于区分不同结合能的光电子信号。
氩离子溅射枪:配备质量流量控制器调节Ar⁺离子束流,能量范围500-2000eV,束流密度1-5μA/cm²,通过物理溅射逐层剥离样品表面,实现深度方向成分分析。
紫外光电子能谱(UPS)模块:集成He I(21.2eV)和He II(40.8eV)共振线光源,用于激发样品价带电子,结合XPS数据可分析材料的电子结构(如能带排列)。
微区分析探头:配备聚焦光学系统,将光电子收集立体角限制在≤0.1sr,空间分辨率≤10μm,支持对样品表面微小区域(如微区缺陷、相界)进行元素成分成像及定点分析。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。

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