硅晶片质量全面检测

检测项目

厚度偏差、表面粗糙度、电阻率分布、氧含量测定、碳含量分析、晶体取向偏差、位错密度、层错缺陷、微管缺陷、金属污染浓度、颗粒污染物计数、翘曲度测试、弯曲度测量、纳米形貌分析、载流子寿命测试、少子扩散长度、掺杂均匀性评价、氧化层厚度测量、表面金属残留量、界面态密度测试、边缘崩边检测、划痕深度评估、崩边角度测量、纳米压痕硬度测试、应力分布分析、晶格畸变率测定、外延层厚度均匀性评价、抛光损伤层深度测量、表面化学态分析、吸杂效能评估

检测范围

单晶硅抛光片、外延生长硅片、SOI晶圆、退火处理晶圆、离子注入晶圆、扩散工艺晶圆、化学机械抛光片、氮化硅掩膜晶圆、砷化镓复合衬底片、太阳能级多晶硅片、8英寸N型掺杂晶圆、12英寸P型掺杂晶圆、(100)晶向测试片、(111)晶向校准片、超薄切割晶圆（<100μm）、重掺硼衬底片（>0.01Ωcm）、轻掺磷外延衬底片（1-10Ωcm）、高阻区熔单晶硅片（>1000Ωcm）、退火后氧沉淀试样片（CZ法）、直拉法单晶缺陷研究样片（含COP缺陷）、分子束外延超薄膜样片（<50nm）、化学气相沉积多晶硅样片（光伏用）、激光退火处理样片（毫秒级退火）、湿法清洗验证样片（SC1/SC2处理后）、干法刻蚀表面形貌研究样片（RIE工艺）、金属有机物化学气相沉积样片（Ⅲ-Ⅴ族复合结构）、低温键合界面缺陷分析样片（Si-Si直接键合）、纳米压印光刻模板验证样片（石英基硅复合结构）

检测方法

四探针法：通过线性排列探针测量薄层电阻值分布；X射线衍射：利用布拉格方程分析晶体取向与应力分布；二次离子质谱：采用离子束溅射进行ppb级杂质深度剖析；原子力显微镜：纳米级分辨率扫描表面三维形貌；微波光电导衰减：非接触式测定载流子寿命参数；深能级瞬态谱：探测晶体中深能级缺陷浓度；激光散射法：快速扫描表面颗粒污染物分布；椭偏光谱术：精确测量介质膜厚度与光学常数；扫描电子显微镜：微米级分辨率观察表面微观缺陷；傅里叶红外光谱：定量分析间隙氧与替位碳含量；热波成像技术：无损检测亚表面机械损伤层深度；霍尔效应测试：确定载流子浓度与迁移率参数；X射线荧光光谱：快速筛查表面金属污染元素；接触角测量仪：评估表面清洁度与润湿特性；同步辐射形貌术：大尺寸单晶完整性三维成像

检测标准

ASTMF1526-2021四探针法测量半导体薄层电阻标准试验方法SEMIMF723-2020硅单晶中氧含量的红外吸收测量规程ISO14646:2020半导体材料-硅单晶晶向X射线测定方法JISH0605:2019硅片中载流子寿命的微波光电导衰减测试GB/T24578-2021硅单晶中重金属污染的酸浸取-ICPMS法IEC60749-27:2020半导体器件-机械和环境试验方法-第27部分：晶圆翘曲度SEMIMF1392-2020300mm硅片的纳米形貌测量方法ASTMF657-2021硅片中少数载流子扩散长度的非接触测量ISO16256:2018微电子应用硅材料-晶体缺陷的X射线形貌表征DINEN60749-26:2019半导体器件-机械试验-第26部分：芯片剪切强度

检测仪器

四探针测试仪：配备自动平台实现全区域电阻率扫描高分辨率X射线衍射仪：双轴测角器精度达0.0001飞行时间二次离子质谱仪：质量分辨率优于1ppm低温探针台系统：支持77K~500K变温电学特性测试激光散射颗粒计数器：可检出≥45nm表面颗粒深紫外椭偏仪：适用于10nm以下超薄膜层测量同步辐射光束线站：提供高亮度X射线用于缺陷成像微波光电导衰减系统：时间分辨率达10ns量级纳米压痕仪：载荷分辨率0.1nN的力学性能测试三维原子探针断层扫描仪：原子级空间分辨率成分分析

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。