芯片低温检测

检测项目

低温漏电流测试：测量-196℃下pn结反向电流，精度±0.1pA，范围1pA~100μA

载流子迁移率分析：在-170℃环境中测定电子迁移率，精度±5cm²/(V·s)

热循环疲劳测试：-196℃↔25℃区间循环2000次，监测电阻变化率≤2%

低温邦定强度：-55℃下焊点剪切力测试，分辨率0.01N

介电层击穿电压：液氮环境（77K）中测量，电压范围0~10kV

热阻系数标定：-100℃温差下计算封装热阻，误差±0.05℃/W

晶体管阈值电压漂移：-150℃时Vth变化量监测，精度±1mV

材料低温收缩率：测定-196℃时基板尺寸变化，激光干涉精度0.1μm

接触电阻温变特性：20K~300K范围四线法测量，电阻分辨率0.1mΩ

冷冻断裂韧性：液氦温度（4K）下芯片断裂强度测试，载荷精度±0.5N

检测范围

第三代半导体器件：SiC/GaN功率模块低温导通特性验证

量子计算芯片：超导量子比特在毫开尔文温区的相干时间测试

航天级存储器：-65℃环境数据保持能力评估

车载传感器：寒带工况下MEMS加速度计漂移量检测

低温封装材料：环氧树脂基板-196℃热膨胀系数测定

超导集成电路：4K温区约瑟夫森结参数标定

热电制冷模组：-100℃温差发电效率验证

深空探测器芯片：宇宙背景辐射（3K）耐受性试验

低温互连材料：锡铋焊料-40℃延展性分析

超算处理器：液冷系统-50℃工况时钟稳定性监测

检测标准

依据ASTM E831测定-269℃~25℃线性膨胀系数

ISO 7500-1规范-196℃金属材料拉伸试验

GB/T 2423.1-2008电工电子产品低温试验方法

MIL-STD-883J Method 1012.1 -55℃功能测试

IEC 60749-25 半导体器件低温存储标准

JESD22-A119A 循环温度应力测试规程

GB/T 20162-2006 集成电路低温工作特性测量

ASTM D5470 导热材料低温热阻测试

ISO 16750-4 汽车电子-40℃环境试验

ESCC 22600 航天器件液氮温度筛选规范

检测仪器

闭循环氦制冷探针台：温控范围4K~475K，实现晶圆级参数扫描

低温参数分析仪：支持-196℃下IV/CV曲线测量，电压分辨率1μV

液氮浸泡试验箱：温度均匀性±0.5℃，满足MIL-STD-202浸没测试

超导量子测试系统：配备稀释制冷机，工作温区10mK~1K

低温热机械分析仪：-170℃环境材料形变检测，位移精度0.1nm

宽温区半导体测试机：-65℃~+150℃动态参数采集，时间分辨率1ns

超低温显微红外热像仪：空间分辨率3μm，用于-100℃热点定位

极低温原子力显微镜：4K环境表面拓扑成像，Z轴精度0.01nm

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。