芯片失效分析与先进工艺筛片分析(DPA)检测

检测项目

电性能参数测试：包括漏电流测试、阈值电压漂移、I-V特性曲线分析及功能逻辑验证

物理结构缺陷分析：金属层短路/开路缺陷定位、栅氧层击穿点识别、接触孔异常检测

材料特性表征：介电层厚度测量、金属互连应力分析、界面扩散层成分测定

环境应力试验：高温反偏（HTRB）、温度循环（TC）、高加速寿命试验（HALT）

封装可靠性评估：焊球剪切强度测试、塑封料热机械性能分析、湿气敏感度分级

检测范围

器件类型：逻辑芯片（CPU/GPU）、存储器件（DRAM/3D NAND）、功率半导体（IGBT/MOSFET）

工艺节点：28nm及以下先进制程FinFET器件、第三代半导体GaN/SiC器件

失效阶段：晶圆级早期失效（ELF）、封装后功能失效（PPM级缺陷）、现场应用老化失效

封装形式：BGA/QFN/Flip-Chip/WLCSP等主流封装结构分析

特殊应用场景：汽车电子AEC-Q100验证、航天器件抗辐射能力评估

检测方法

非破坏性分析技术：

X射线透视成像（2D/3D-CT）定位内部结构异常

红外热成像（Lock-in Thermography）捕捉热点分布

声学显微扫描（SAM）检测分层与空洞缺陷

微区电学表征技术：

纳米探针台（Nanoprobing）实现晶体管级参数提取

电子束感应电流（EBIC）定位pn结漏电路径

激光束诱导电流（OBIRCH）探测金属互连异常点

物理失效分析技术：

聚焦离子束（FIB-TEM）制备纳米级截面样品

扫描电镜（SEM-EDS）进行形貌观察与元素分析

原子力显微镜（AFM）测量表面粗糙度与机械特性

材料分析技术：

二次离子质谱（SIMS）测定掺杂浓度分布曲线

X射线光电子能谱（XPS）分析界面化学态变化

拉曼光谱（Raman）表征晶格应力与相变特征

可靠性验证方法：

JEDEC JESD22系列标准加速老化试验程序

AEC-Q100车规级温度循环与机械冲击测试规范

MIL-STD-883军用器件筛选与鉴定流程实施

检测仪器

电性测试设备类：

参数分析仪（Keysight B1500A）执行精密直流参数测试

混合信号测试系统（Teradyne UltraFLEX）完成功能验证

TDR示波器（Tektronix DSA8300）进行信号完整性分析

显微成像设备类：

场发射扫描电镜（FE-SEM）实现5nm分辨率成像观测

双束聚焦离子束系统（FIB-SEM）支持三维重构分析

原子力显微镜（Bruker Dimension Icon）测量纳米级表面形貌

材料分析设备类：

透射电子显微镜（TEM-EDX）开展原子级结构表征

飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）解析元素深度分布

X射线衍射仪（XRD）测定晶体结构与应力分布状态

<|信号分析设备类|： |<|u| |<|太赫兹时域光谱仪（Terahertz TDS）检测封装内部缺陷| |<|激光多普勒振动仪（LDV）评估MEMS器件动态特性| |<|微波探针台（Cascade Summit12000）开展高频参数测试| |>

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。