存储芯片检测

检测项目

存储芯片的核心检测体系包含三大类共12项关键指标：

电气参数测试：涵盖工作电压范围验证（V_CC min/max）、静态/动态电流测量（I_SB/I_DD）、时序参数校准（t_RC/t_WC）、接口协议一致性（ONFI/Toggle DDR）及信号完整性（S参数）分析

耐久性验证：包括编程/擦除循环次数（P/E Cycle）、数据保持年限（Data Retention）、读取干扰（Read Disturb）阈值测定及写入耐久度（Write Endurance）评估

环境适应性测试：涉及高温工作寿命（HTOL）、温度循环（TCT）、高加速应力试验（HAST）及静电放电（ESD）敏感度分级（HBM/CDM）

检测范围

现行检测标准覆盖六大类存储器件及四类应用场景：

器件类型维度：

NAND Flash：SLC/MLC/TLC/QLC架构验证

DRAM：DDR4/DDR5/LPDDR5时序校准

NOR Flash：并行/串行接口协议验证

新兴存储器：3D XPoint/MRAM/ReRAM结构分析

嵌入式存储器：eMMC/UFS控制器兼容性测试

特种存储器：抗辐射加固（Rad-Hard）型器件验证

应用场景维度：

消费电子：符合JESD218/230标准的高密度封装测试

汽车电子：满足AEC-Q100 Grade1/0级可靠性要求

工业控制：-40℃~125℃宽温域工作验证

航天军工：MIL-STD-883 Method 1015抗辐射测试

检测方法

标准化检测流程包含四个阶段共18项关键操作：

电气特性分析阶段：

采用ATE测试系统执行Shmoo图扫描（电压-频率-温度三维矩阵）

基于BERTScope进行眼图分析及抖动容限测量

TIA/EIA-899标准的信号完整性验证方案

可靠性验证阶段：

高温老化试验（85℃/125℃下持续1000小时）

温度循环试验（-55℃↔125℃完成500次循环）

湿热偏压试验（85℃/85%RH下施加额定电压）

失效分析阶段：

OBIRCH光学束诱导电阻变化定位技术

SIMS二次离子质谱界面污染分析

TEM透射电镜纳米级结构观测

数据完整性验证阶段：

伪随机数据模式写入校验（PRBS31序列）

交叉温度数据保持测试（ΔT≥100℃温差循环）

TLC/QLC的RBER（原始误码率）统计模型构建

检测仪器

标准实验室配置八大类专业设备：

电气测试系统组：

Keysight B1500A半导体参数分析仪（支持μV级精度测量）

Tektronix DPO70000SX示波器（70GHz带宽）

Advantest V93000 SoC测试平台（256通道并行处理）

环境模拟设备组：

Temptronic ThermoStream系列高低温试验箱（-70℃~+225℃）

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。