晶圆级探针测试检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-08-14  

晶圆级探针测试是半导体制造的关键环节,专注于在晶圆级别测试集成电路的电气特性、功能和可靠性。检测要点包括接触电阻、泄漏电流、功能验证等参数测量,确保器件性能符合标准要求,涉及精密仪器和高精度参数控制,适用于硅晶圆、GaAs晶圆等多种材料及芯片类型。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

接触电阻测量:评估探针与晶圆焊盘之间电阻值。参数:测量范围0.1mΩ至100Ω,精度0.5%,分辨率0.01mΩ。

泄漏电流测试:检测器件在关闭状态下电流泄漏情况。参数:电流测量范围1pA至1mA,分辨率0.1pA,电压偏置范围0-10V。

功能测试:验证集成电路逻辑操作正确性。参数:测试频率最高1GHz,信号电平范围0-5V,逻辑电平阈值设置5%。

直流参数测试:测量器件直流电压电流特性。参数:电压精度0.1mV,电流精度10nA,电压范围-20V至+20V。

交流参数测试:评估器件频率响应和交流性能。参数:频率范围1kHz至100MHz,阻抗测量范围1mΩ至10MΩ,相位精度0.1度。

电容测量:确定器件寄生或设计电容值。参数:测量范围1fF至1μF,精度0.1%,频率设置100Hz至1MHz。

电感测量:分析器件电感特性。参数:测量范围1nH至100μH,精度2%,频率范围100kHz至10MHz。

阻抗测试:综合评估器件阻抗特性。参数:频率范围100Hz至10MHz,阻抗范围1mΩ至100MΩ,扫描点数512点。

噪声测试:检测器件电压或电流噪声水平。参数:噪声电压测量范围1μV至1V,带宽10Hz至100kHz,分辨率1μV。

温度系数测试:分析参数随温度变化特性。参数:温度范围-55C至150C,控制精度0.1C,参数漂移测量精度1%。

开关时间测试:测量器件开关响应速度。参数:上升下降时间测量范围1ns至100μs,精度0.5ns,触发电平范围0.1V至5V。

击穿电压测试:评估器件绝缘或击穿特性。参数:电压范围0-500V,步进精度1V,电流限制范围1μA至10mA。

检测范围

硅晶圆:用于集成电路制造的基板材料,支持大规模芯片集成。

GaAs晶圆:高频和光电器件制造材料,适用于微波和射频应用。

SiC晶圆:高功率和高频半导体材料,用于电力电子和高温环境。

存储器芯片:如DRAM和Flash存储器,用于数据存储设备。

逻辑芯片:包括CPU和GPU等处理器,执行计算和控制功能。

模拟集成电路:如运算放大器和ADC,处理连续信号。

射频器件:如RF前端模块,应用于通信和无线传输系统。

传感器芯片:包括温度、压力和加速度传感器,用于环境监测。

电源管理IC:提供电压调节和能量转换功能,用于电子电源系统。

光电子器件:如LED和激光二极管,应用于显示和光通信领域。

微机电系统:包括加速度计和陀螺仪,用于机械传感应用。

生物芯片:用于医疗诊断和基因组分析的集成器件。

检测标准

ASTMF1245:晶圆级探针卡电气性能测试标准。

ISO14982:半导体晶圆测试通用要求规范。

GB/T18794:信息技术设备安全测试相关标准。

IEC60749:半导体器件环境测试方法标准。

MIL-STD-883:微电子器件可靠性和测试军事标准。

JEDECJESD22:电子设备静电放电和可靠性测试标准。

IPC-9252:电子组装电气测试通用规范。

SEMIM53:半导体材料晶圆物理参数测量标准。

IEEE1505:自动化测试设备接口标准。

GB/T26110:半导体集成电路测试方法国家标准。

ISO9001:质量管理体系相关测试要求规范。

检测仪器

晶圆级探针台:用于精确放置探针在晶圆上进行接触测试。功能:实现XYZ轴定位,控制接触力在0.1g至100g范围内,支持多点同时测试。

参数分析仪:测量器件直流和交流电气参数。功能:执行电压电流扫频测试,支持多通道数据采集。

逻辑分析仪:捕获和解析数字信号逻辑序列。功能:验证器件功能正确性,采样率最高5GS/s。

频谱分析仪:测量频率响应和噪声频谱特性。功能:分析高频信号失真,频率范围1kHz至18GHz。

温度控制箱:提供可控温度环境测试器件参数漂移。功能:调节温度在-65C至+200C,维持温度稳定性0.2C。

电容电感测试仪:专门测量电容和电感值。功能:高精度测量寄生元件,频率范围100Hz至10MHz。

信号发生器:生成测试输入信号波形。功能:提供正弦波、方波和脉冲信号,频率范围1mHz至300MHz。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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