等离子体刻蚀传感监测检测

检测项目

等离子体密度监测：测量等离子体中的电子密度，具体检测参数包括密度范围 1e9-1e12 cm^{-3}, 精度 ±5%

刻蚀速率测量：监控材料去除速率，具体检测参数包括速率 0.1-10 μm/min, 分辨率 0.01 μm/min

均匀性检测：评估刻蚀 across-wafer 均匀性，具体检测参数包括非均匀性 <5%, 测量点数量 49点

选择性监测：比较不同材料刻蚀速率比，具体检测参数包括选择性 ratio >10:1, 误差 ±0.5

终点检测：确定刻蚀 process 结束点，具体检测参数包括信号阈值 50% drop, 响应时间 <1s

温度监测：监控衬底温度，具体检测参数包括温度范围 20-400°C, 精度 ±1°C

压力监测：测量 chamber 压力，具体检测参数包括压力范围 1-1000 mTorr, 精度 ±0.1%

气体流量监测：控制 process 气体流量，具体检测参数包括流量 0-1000 sccm, 控制精度 ±1%

射频功率监测：监控输入射频功率，具体检测参数包括功率 0-1000 W, 稳定性 ±2%

表面形貌分析：测量刻蚀后表面粗糙度，具体检测参数包括Ra 0.1-100 nm, 扫描面积 10x10 μm

检测范围

硅片刻蚀：用于半导体制造中的硅基材料刻蚀工艺

氧化物刻蚀：涉及二氧化硅等介质层的刻蚀应用

金属刻蚀：包括铝、铜等金属膜的刻蚀过程

聚合物刻蚀：光刻胶和有机材料的去除

化合物半导体刻蚀：如GaAs、InP等材料的刻蚀

微机电系统制造：MEMS器件中的结构释放刻蚀

光刻胶去除：灰化或刻蚀方式去除光刻胶

介质层刻蚀：low-k介质等绝缘层的刻蚀

纳米结构刻蚀：纳米线、量子点等纳米尺度的刻蚀

太阳能电池制造：硅太阳能电池的纹理化刻蚀

检测标准

ASTM F1375-92 JianCe Test Method for Energy Dispersive X-Ray Spectrometer Analysis of Metallic Surface Condition

ISO 14644-1 Cleanrooms and associated controlled environments - Part 1: Classification of air cleanliness

GB/T 19001-2016 Quality management systems - Requirements

ASTM E112-13 JianCe Test Methods for Determining Average Grain Size

ISO 15848-1 Industrial valves - Testing and rating of fugitive emissions

GB/T 5237-2017 Aluminum alloy extruded profiles

检测仪器

等离子体发射光谱仪：用于分析等离子体光谱，监测物种浓度和刻蚀速率

朗缪尔探头：测量等离子体密度和电子温度，具体功能为实时参数监控

质谱仪：分析刻蚀副产物气体，用于终点检测和污染监控

光学发射光谱仪：通过光谱线强度监测刻蚀 process，功能包括均匀性评估

表面轮廓仪：测量刻蚀深度和表面粗糙度，具体功能为形貌分析

射频功率计：监控射频发生器输出，确保功率稳定性

温度传感器：监测衬底温度，防止过热或冷却不足

压力传感器：测量 chamber 压力，维持 process 环境

气体流量控制器：精确控制 process 气体流量，功能包括流量调节和监控

终点检测系统：基于光学或电气信号 detect 刻蚀终点，防止 over-etch

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。