IGBT检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-04-29  

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电力电子系统的核心器件,其性能直接影响设备可靠性。专业检测需涵盖电气特性、热稳定性及封装完整性三大维度,重点针对阈值电压、开关损耗、热阻系数等关键参数进行量化分析。本文依据IEC60747-9等国际标准体系,系统阐述实验室级检测流程与技术要求。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

1. 电气特性测试

静态参数:集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、栅极阈值电压(VGE(th)

动态参数:开通/关断时间(ton/toff)、反向恢复电荷(Qrr

极限参数:击穿电压(VCES)、短路耐受能力(tsc

2. 热性能评估

热阻测量:结-壳热阻(RthJC)、壳-散热器热阻(RthCH

功率循环测试:ΔTj=80K条件下的寿命验证

温度系数:导通电阻(Ron)随温度变化特性

3. 结构分析

封装完整性:X射线检测焊接空洞率≤5%

界面分层:超声波扫描键合线脱落缺陷

材料特性:SEM/EDS分析铝线键合强度

检测范围

1. 应用场景覆盖

工业变频器:1200V/300A以上高压大电流模块

新能源发电:光伏逆变器用1700V等级器件

电动汽车:车规级IGBT模块(AEC-Q101认证)

2. 器件类型区分

封装形式:62mm/34mm标准模块、单管TO-247/TO-263封装

技术路线:穿通型(PT)与非穿通型(NPT)结构差异验证

工艺特征:沟槽栅与平面栅器件对比测试

3. 工况模拟测试

电压应力:1.2倍额定电压下的漏电流监测

电流冲击:10倍额定电流的浪涌耐受试验

环境试验:-55℃~150℃温度循环老化测试

检测方法

1. 静态参数测试法

Tektronix IV曲线追踪仪测量VGE(th)

四线法测定VCE(sat)

TCASE=25℃/125℃双温区对比测试

2. 动态特性分析法

双脉冲测试平台获取开关波形数据

Rogowski线圈测量di/dt≥5000A/μs的电流变化率

SICMOSFET对比法评估反向恢复特性

3. 可靠性验证方案

JESD22-A108标准进行温度循环试验(1000次循环)

AEC-Q101附录E执行功率循环试验(5万次循环)

SJ/T 11394规定的高加速寿命试验(HALT)程序

检测仪器

1. 电气测试系统

Keysight B1505A功率器件分析仪:10kV/1500A测试能力

Cree Wolfspeed双脉冲测试平台:800A/4500V动态特性分析

Tektronix DPO7054示波器:带宽≥2GHz的瞬态波形采集

2. 热特性分析设备

Siemens PLM QFI InfraScopeⅡ:瞬态热阻测量精度±0.02K/W

Ametron NORASTM系统:结温监测误差≤1℃

TAS Micro瞬态热测试仪:支持多通道同步采集

3. 结构分析仪器

Yxlon FF35 CT系统:5μm分辨率X射线断层扫描

Olympus Omniscan MX2超声波探伤仪:50MHz高频探头

TESCAN MIRA4 SEM-EDS联用系统:纳米级表面形貌分析

4. 环境模拟装置


Temptronic ThermoStream系列:-65℃~+300℃温控范围

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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