项目数量-3473
外延芯片检测
北检院检测中心 | 完成测试:次 | 2025-07-30
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
检测项目
厚度均匀性:测量外延层厚度分布,参数包括精度±0.1nm,测量范围10-1000nm。
表面粗糙度:评估表面平整度,参数如Ra值范围0.1-10nm,分辨率0.01nm。
掺杂浓度:分析杂质分布,参数包括检测限1e15-1e20atoms/cm³,精度±5%。
晶格常数:测定晶体结构参数,参数如角度分辨率0.001°,范围5-10Å。
电学性能:测量电阻率和载流子迁移率,参数如电阻率范围0.001-1000Ω·cm,精度±2%。
光学性能:评估透射率和反射率,参数如波长范围200-2000nm,精度±0.5%。
应力分析:检测薄膜应力状态,参数如应力值范围-1GPa至1GPa,分辨率0.01GPa。
成分分析:识别元素组成,参数如元素检测限0.1ppm,精度±3%。
表面缺陷:识别颗粒和划痕,参数如最小可检测缺陷尺寸0.1μm,计数精度99%。
界面质量:评估层间结合,参数如界面厚度范围1-100nm,均匀性±5%。
载流子寿命:测定电子-空穴复合时间,参数如范围1ns-1ms,精度±10%。
热稳定性:分析温度变化影响,参数如温度范围-50°C至200°C,稳定性±0.1°C。
检测范围
硅基外延芯片:应用于集成电路制造,支持微处理器和存储器生产。
砷化镓外延片:用于光电子器件,如激光二极管和光电探测器。
碳化硅外延片:适用于高功率电子器件,包括电动汽车逆变器。
氮化镓外延片:用于射频器件和LED照明,提供高频性能。
磷化铟外延片:服务于光通信组件,如调制器和接收器。
蓝宝石衬底外延片:应用于LED显示技术,确保高亮度输出。
硅锗外延片:用于高速晶体管,支持5G通信设备。
氧化锌外延片:适用于紫外光电器件,如传感器和激光器。
陶瓷衬底外延片:用于高温环境器件,包括航空航天传感器。
聚合物基外延片:服务于柔性电子,如可穿戴设备屏幕。
化合物半导体外延片:涵盖多种材料组合,用于太阳能电池。
异质结外延片:应用于高效能晶体管,支持人工智能芯片。
检测标准
依据ISO14644-1进行洁净室环境控制。
ASTMF1526规范表面缺陷分析方法。
GB/T12964规定硅片厚度测量要求。
ISO9001确保质量管理体系合规。
SEMIM1标准用于晶圆尺寸和几何参数。
GB/T1550涵盖半导体材料电阻率测试。
ISO14707规范表面成分分析流程。
ASTME112涉及晶粒尺寸测定方法。
GB/T16594规定薄膜应力测试程序。
ISO1853适用于粉末材料导电性评估。
检测仪器
扫描电子显微镜:提供高分辨率表面成像,功能包括缺陷形貌分析和尺寸测量。
原子力显微镜:用于表面粗糙度测绘,功能支持三维形貌重建和纳米级精度。
X射线衍射仪:分析晶体结构和应力,功能包括角度扫描和晶格常数计算。
二次离子质谱仪:检测掺杂浓度和元素分布,功能实现深度剖析和痕量分析。
椭圆偏振仪:测量光学常数和厚度,功能支持非破坏性多层膜分析。
四探针测试仪:评估电学性能,功能包括电阻率测量和载流子浓度计算。
傅里叶变换红外光谱仪:分析光学性能,功能涵盖透射率和反射率光谱采集。
检测流程
线上咨询或者拨打咨询电话;
获取样品信息和检测项目;
支付检测费用并签署委托书;
开展实验,获取相关数据资料;
出具检测报告。

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