外延芯片检测

北检院检测中心  |  完成测试:  |  2025-07-30  

外延芯片检测聚焦半导体质量控制,涵盖厚度均匀性、表面缺陷、掺杂浓度等关键参数。检测确保产品符合行业规范,支持高可靠性应用,涉及非破坏性分析和精确测量技术。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测项目

厚度均匀性:测量外延层厚度分布,参数包括精度±0.1nm,测量范围10-1000nm。

表面粗糙度:评估表面平整度,参数如Ra值范围0.1-10nm,分辨率0.01nm。

掺杂浓度:分析杂质分布,参数包括检测限1e15-1e20atoms/cm³,精度±5%。

晶格常数:测定晶体结构参数,参数如角度分辨率0.001°,范围5-10Å。

电学性能:测量电阻率和载流子迁移率,参数如电阻率范围0.001-1000Ω·cm,精度±2%。

光学性能:评估透射率和反射率,参数如波长范围200-2000nm,精度±0.5%。

应力分析:检测薄膜应力状态,参数如应力值范围-1GPa至1GPa,分辨率0.01GPa。

成分分析:识别元素组成,参数如元素检测限0.1ppm,精度±3%。

表面缺陷:识别颗粒和划痕,参数如最小可检测缺陷尺寸0.1μm,计数精度99%。

界面质量:评估层间结合,参数如界面厚度范围1-100nm,均匀性±5%。

载流子寿命:测定电子-空穴复合时间,参数如范围1ns-1ms,精度±10%。

热稳定性:分析温度变化影响,参数如温度范围-50°C至200°C,稳定性±0.1°C。

检测范围

硅基外延芯片:应用于集成电路制造,支持微处理器和存储器生产。

砷化镓外延片:用于光电子器件,如激光二极管和光电探测器。

碳化硅外延片:适用于高功率电子器件,包括电动汽车逆变器。

氮化镓外延片:用于射频器件和LED照明,提供高频性能。

磷化铟外延片:服务于光通信组件,如调制器和接收器。

蓝宝石衬底外延片:应用于LED显示技术,确保高亮度输出。

硅锗外延片:用于高速晶体管,支持5G通信设备。

氧化锌外延片:适用于紫外光电器件,如传感器和激光器。

陶瓷衬底外延片:用于高温环境器件,包括航空航天传感器。

聚合物基外延片:服务于柔性电子,如可穿戴设备屏幕。

化合物半导体外延片:涵盖多种材料组合,用于太阳能电池。

异质结外延片:应用于高效能晶体管,支持人工智能芯片。

检测标准

依据ISO14644-1进行洁净室环境控制。

ASTMF1526规范表面缺陷分析方法。

GB/T12964规定硅片厚度测量要求。

ISO9001确保质量管理体系合规。

SEMIM1标准用于晶圆尺寸和几何参数。

GB/T1550涵盖半导体材料电阻率测试。

ISO14707规范表面成分分析流程。

ASTME112涉及晶粒尺寸测定方法。

GB/T16594规定薄膜应力测试程序。

ISO1853适用于粉末材料导电性评估。

检测仪器

扫描电子显微镜:提供高分辨率表面成像,功能包括缺陷形貌分析和尺寸测量。

原子力显微镜:用于表面粗糙度测绘,功能支持三维形貌重建和纳米级精度。

X射线衍射仪:分析晶体结构和应力,功能包括角度扫描和晶格常数计算。

二次离子质谱仪:检测掺杂浓度和元素分布,功能实现深度剖析和痕量分析。

椭圆偏振仪:测量光学常数和厚度,功能支持非破坏性多层膜分析。

四探针测试仪:评估电学性能,功能包括电阻率测量和载流子浓度计算。

傅里叶变换红外光谱仪:分析光学性能,功能涵盖透射率和反射率光谱采集。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检(北京)检测技术研究院
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