半导体设备检测-检测标准-检测项目-北检院

检测项目

半导体设备检测体系包含三大核心模块：

物理性能验证：涵盖运动平台定位精度（±0.1μm）、真空腔体泄漏率（≤1×10^-9 mbar·L/s）、机械振动频谱（0-500Hz）及热变形量（ΔT≤±0.5℃）等基础参数

电学特性测试：包括射频电源稳定性（波动≤0.1%）、静电防护系统阻抗（＜1Ω）、电磁兼容性（EN 55032 Class B）及高压绝缘强度（AC 3kV/60s）

工艺适配性评估：涉及晶圆传输系统颗粒污染度（Class 1标准）、反应腔体温度均匀性（±1.5℃@300mm）、气体流量控制精度（±0.5%设定值）及等离子体密度分布（径向偏差＜5%）

检测范围

设备类型	关键参数	适用标准
光刻机	套刻精度(OVL≤1.5nm)、照明均匀性(＞98%)、掩模台平面度(＜50nm)	SEMI P35-0618
刻蚀设备	各向异性比(＞20:1)、选择比(＞100:1)、剖面角控制(88°±1°)	ISO 14644-1 Class 3
CVD/PVD系统	薄膜厚度均匀性(±2% within wafer)、台阶覆盖率(＞95%)、应力值(-200~+200MPa)	ASTM F1392-18
离子注入机	剂量均匀性(±1.5%)、能量稳定性(±0.2%)、角度偏差(＜0.1°)	SEMI E142-0718

检测方法

激光干涉测量法：采用632.8nm氦氖激光源配合六自由度测量系统，实现运动平台纳米级定位误差分析

质谱检漏技术：使用氦质谱仪在10^-9 mbar·L/s灵敏度下进行真空系统完整性验证

四探针电阻率测试：依据ASTM F84标准测量晶圆片电阻均匀性（9点测量法）

椭圆偏振光谱分析：通过波长400-800nm可变入射角系统解析薄膜厚度与光学常数（n,k值）

聚焦离子束切割(FIB)：结合SEM进行亚微米级截面形貌观测与元素分布分析(EDX Mapping)

检测仪器

双频激光干涉仪

分辨率0.1nm/10nrad

量程范围0-50m

符合ISO/TR 230-11标准

全自动探针台

支持300mm晶圆

接触电阻＜10mΩ

定位重复精度±0.25μm

高分辨率SEM

电子束直径0.4nm

放大倍数30-1,000,000×

配备EBSD晶体取向分析模块

傅里叶红外光谱仪

光谱范围7800-350cm^-1

分辨率0.09cm^-1

ATR附件ZnSe晶体材质

等离子体诊断系统

Langmuir探针测量范围10^-6-10^-3A

离子能量分析仪分辨率0.1eV

光谱范围200-1100nm

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检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。