北检(北京)检测技术研究院
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GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范

北检院检测中心  |  点击量:13次  |  2024-12-21 08:04:45  

标准中涉及的相关检测项目

以下是根据标准《GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》内容中提到的相关信息,包括检测项目、检测方法和涉及产品(根据标准逻辑说明整理): ### 1. 检测项目(重要项目示例)

标准中规定了CMOS数字集成电路4000B及4000UB系列的基本检测项目。主要包括以下项目:

  • 电参量测试:包含静态和动态参数,例如输入电流、输出电平、高电平和低电平引脚的电压、电源电流等。
  • 时序参数测试:例如传输延迟、建立时间、保持时间、最大工作频率等。
  • 器件功能测试:验证功能逻辑是否符合4000B和4000UB系列的功能规范。
  • 热性能测试:如工作温度范围、热耗散能力、功耗限制等。
  • 电气可靠性测试例如通电时器件表现、短路保护能力、过压保护能力、耐静电测试(ESD)、击穿电压测试等。
  • 机械性能测试:包括引脚强度、封装完整性、焊接性能等。
  • 环境适应性能测试:如高低温测试、湿热测试、振动冲击测试等。
### 2. 检测方法

每种检测项目的具体方法在标准中有明确要求,常见的测试方法如下:

  • 静态特性测量:通过电源及高精度万用表或电参测量仪器在特定条件下测试输入、输出电平及电流参数。
  • 时序性能测试:利用自动测试设备(ATE)或数字示波器,对信号边沿时间、传输延时以及稳态时间进行测量。
  • 功能测试:将被测器件置于功能测试电路中,输入定义的测试向量序列,对输出电平结果进行对照验证。
  • 低频信号分析法:用于验证芯片频率及时间相关性能。
  • 环境测试:借助环境实验箱测试目标器件在极端温度(高温或低温)、湿热环境下的性能变化。
  • 机械测试方法:采用专业机械性能测试设备(如压力机、扭力测试仪等)对引脚连接强度和封装完整性进行测试。
  • ESD和过压保护测试:采用专业放电设备模拟静电放电环境,观察器件是否能够通过测试时的标准要求。
### 3. 涉及产品

本标准适用于4000B和4000UB系列CMOS数字集成电路。具体产品类别包括:

  • 4000B系列:如4001B(双四路或门电路)、4011B(双四路与门电路)、4093B(四两路施密特触发器与门电路)等。
  • 4000UB系列:如具有未缓冲功能的逻辑芯片,例如4002UB等型号。
  • 高可靠性或特殊用途型号:主要应用于工业控制设备、航天、汽车电子等特定环境下的CMOS器件。

需要注意的是,标准中可能未穷尽所有型号,但凡符合CMOS 4000系列的均可参考上述规范。

GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范的基本信息

标准名:半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范

标准号:GB/T 17572-1998

标准类别:国家标准(GB)

发布日期:1998-01-01

实施日期:1999-06-01

标准状态:现行

GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范的简介

内容详见本标准。GB/T17572-1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第四篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范GB/T17572-1998

GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范的部分内容

GB/T175721998

本标准等同采用国际电工委员会(IEC)标准IEC748-2-4:1992《半导体器件集成电璐第2部分

数字集成电路第四篇--CMOS数字集成电路4000R和4000UB系列族规范》。本标准与《CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范》--起,可作为编制CMOS数字集成电路4000系列电路详细规范的依据。本标准引用的国家标准GB/T4937-·1995和GB/T9421—1998分别等同采用IFC.749:1984及修改单1(1991)和IEC748.2-5;1992。本标准第8章表1中的分组形式作了技术处理,以便与1EC748-11(1990)相一致,10.3中的曲线也作了更正。

本标准出中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准起草单位:电子工业部标准化研究所、西安微电子技术研究所,本标准士要起草人:陈裕凝、陈学礼。GB/T 17572—1998

IEC前言

1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题待别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决设或协议,以推荐标准的形式供国际上使用,并在此意义上为各国家委员会所认可。3)对促进国际上的统一,IEC 希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之闻的差异,应尽可能在国家标准中指明。本标准是出SC47A(集成电路)和tFCTC47(半导体器件)制定的。本标准系CMOS数字集成电路4 000B和 4 000UB系列族规范。本标准文本以下列文件为依据:六个月法

47A(CO)174

47(CO)1050

表决报告

47(CO)194

本标推表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。本标准封面的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)规范号。本标准用下列IEC标准:

第1部分 总则

747-1:1983半导体器件分立器件修改单1(1991)

747-10:1991半导体器件分立器件第10部分分立器件和集成电总规范748-2:1985半导体器件集成电路第2部分数字集成电路修改单1619912

748-111990半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路(不包括混泥合电路)分规范749:1984半导体器件机械和气候试验方法修改单1(1991)

中华人民共和国国家标准

半导体器件集成电路

第2部分:数字集成电路

第四篇CMOS数字集成电路

4 000B 和 4 000UB 系列族规范Semiconductor devices-Integrated circuitsPart 2: Digital integrated circuitsSection four-Family specification for complementary MOSdigital ntegrated circuits , series 4 000B and 4 000UBGB/T 17572— 1998

idt TEC 748-2-4:1992

QC790 104

IEC 子元器件质量评定体系遵循 IEC:章程并在 IE:C 授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序,以这种方式使-个参加国按有关舰范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。

本族规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。747-10/QC700000华导休器件分立器件第10部分分立器件和集成电路总规范748-11/QC790100半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路(不包括混合电路)分规范

要求的资料

本页及下面方括号内的数宇与下列各项要求的资料相对应,这些资料应填入相应档中。详细规范的识别

[1]」授权发布详细规范的国家标准化机构名称。L21详细规范的IECQ编号。

_3」总规范、分规范的编弓及版本号「4]详细规范的国家编号,发布日期及国家标准体系要求的任何资料:器件的识别

「5]主要功能和型号。

[6]典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。如果器件具有若!种派生产品·则应指出其差异:例如,在对照表中列出特性差异。如果器件属静电感型,在详细规范中应附加预防说明,[7|外形图、引出端识别、标志和/或与外形有关的参考文件。[8-按总规范2.6的质量评定类别[9参考数据。

[本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页,那些条款仪供指导详细规范的编写,而不应纳入详细规范中」

国家质量技术监督局1998-11-17 批准1999-06-01实施

GB/T 17572 - 1998

[当一个条款指导编写可能引起混滑时,应于括号内指明][国家代表机构(NAI)(和可以提供规范的团|[IECQ详细规范编号、版本号和/或月期] 2]

体)的名称(地址)

评定电子元器件质量的依据

总规范:

IEC:747-10/QC700000

分规范:

IEC748-11/QC790100

[编号不同时的国家标准号]]

j QC 790104

[详细规范的国家编号】

[若国家编号与IECQ编号相同,本栏可不填]CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范施订货资料:见本现范第7章

1机械说明

外形依据:

1EC191·2._若有,则必须遵循]和/或国家标推[若无 IEC 外形]

外形图:

可以移入本规范第8章或在那叟给出详细的资料」

引出端识别:

【通出出端排列,包括图示符号】标志:字母和图形,或色码』

[若有时.详细规范应规定标志在器件上的内容

[见总规范2.5和/或本规范第6章]简要说明

CMOS,4 000H 和 4 000UB

半导体材料!SI

」封装:[空封或非空封”

注意:静电敏感器件

3质量评定类别

[按总规范2.6]]

参考数据

见详细规范

按本规范鉴定合格的器件,其有关的制造厂资料,可在现行合格产品日录中查到。[5]

4极限值(绝对最大额定值体系)GB/T 17572— 1998

除另有规定外,这些梭限值适用于整个工作温度范围。极限值不用于检验。

除详细规范另有规定外,给出的值悬有效的。条款

电源电压

输入电压1

输入电流(任一输入端)

工作温度

贮存温度

1)除瞬态外(见本规范10.2)。

5电工作条件和电特性

(检验要求见本规范第8章)。

5.1电工作条件

—0. 51)

推荐电源电压范围;3V~15V(在 V-5V、10 V和15 V下测试)5.2电特性

除另有说明外,电持性适用于个工作温度范围,所有电压以Vs为基准。

5.2.1静态特性

注,“负”号表明电流力向为流出引出端。条款

5. 2. 1. 1

5. 2. 1. 1. 1

静态电流

Vi. =0 V,Vih=Vop*

对所有的有效输入组

全温工作范围

缓冲器

触发器

其他SSI

Tarabanin

A3/A3a

A3/A3a

限温工作范围

[一门

5.2.1.1.2

5. 2. 1. 2

5. 2. 1. 3

5. 2. 1. 4

5. 2. 1. 4. 1

.—缓冲器

触发器

其他SSI

输出低电平电压

Vm-Vrn:

Io/<1 μA

输出高电平电压

Va-Vo,

IIul

最坏输入条件下输出

低电平电压和输出高

电平电压

B-系列

lIil μA

Vn.=1. 5 V

ViL-3. 0 V

Va—7.0 V

VH=11, ()

GB/T 17572 1998

表(续)

Tambain

Teumtax

minmax

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A38

A3/A3a

[A3/A38

VA3/A3a

A3/A3a

5. 2. 1. 4. 2

5. 2. 1. 5

UB—系列

ol μA

Vrt. --1. 0 V

Vn.=2. 0 V

Vn.-- 2. 5 V

VH=8. 0 V

Yh-12. 5 y.

输出低电平

电流33.91

Vu.-o V,Vh=Vop

5. 2. 1. 5. 1.

企温工作范围

Va=0. 5 V

5.2. 1. 5.2

限温工作范围

Vo-0. 4 V

5. 2. 1. 6

输出高电平

电流3

Vi=0 V,V=V

全溢工作范圈

5. 2. 1. 6. 1

Vn=4. 6 V

Vo=9,5 V

Vn=13. 5 V

5. 2. 1. 6. 2限温工作范断

Vn=13. 5 V

5. 2. 1. 7

5. 2. 1. 7. 1

输入电流

全温工作范围

ViH=Vp

5.2.1.7.2|限温工作范围

GB/T17572—1998

表(续)

15! Ing

T'mtmin

Tanbrar

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

A3/A3a

三态输出漏电流

VH=D V,VH=VUD.

输出高阻

V,=15 V或oV

5.2. 1. B.1企温T.作范

5. 2. 1. 8. 2] 限温 T作范围

5. 2. 1.9

每单元的输入电容

(任-输入)

2)除非详细规范另有规定:

3) 具有对称输出的器件,Inr值等 F 1o0m.。5.2.2动态特性

见空白详细规范。

6标志

见空口详细规范。

订货资料

见空自详细现范。

8试验条件和捡验要求

GB/T 17572—1998

裴(完)

Tanbruio

minmex

Tambmur

minmax

若无其他说明,本章中分条款号指总规范中的条款号,试验方法引自IEC748-2第N篇。除另有规定外,所有试验应在T,…=25(!下进行(见总规范第4章)。所有电压以Vss为基准,

逐批捡验

所有试验是非破坏性的(死IEC747-10,3.6.6)。检验或试验

A1分组

外部Ⅱ姿

标志符合性检查

A2分组

25℃下的功能验证

A2a分组

(不适用于1类)最低和展高!件温度下的助能验证

A3分组

25℃下静态持性

A3a分组

最低和最高工作温度下的静态特性A4分组

25~:下的动态特性(器无其他规定)A4a分组

(不适用于「类)最低和最高1作温度下的动态特性“

4)允许相关测量。

采用说明:

IEC. 747-10

4. 2- 1, 1

GB/T 9124 1998

第3章

GB/T9424—1998

IEC748-2、第I篇第一节

IEC748-2.第Ⅱ篇第一节

IEC748-2,第1篇第一

1EC:748-2,第I第第一节

1原表1中A组分组形式与分规范1E℃718-11不同,现已改为一致。试验

A3/A3a

A3/A3a

检验要求

试验条件

极限评定类别|ILAQL

试验条件利极限值见详细规范,检验求见有关的分规范

(I类器件见总规范2. 6)

GB/T 175721998

遥批捡验

只有标有(D)的试验为破坏性试验(见IEC 747-10,3.6.6)。检验或试验

B1分组

B3分组

引出端强度(若适用)

弯曲(D)

B4分组

可焊性

B5分组

温度快速变化

a)空封

温度快速变化

·电测试

.密封;细检渊

·密封;检漏

b)非空封和环氧空封度恨速

,外蒂日检

·稳态逛热

·电测试

BB分组

电耐久性(168)

最警测试(A3.A3 和A1)

CRRL,分组

IEC747-14

若尤其他规是,Txmh一25 ℃C

4.2.2和附录 B

GB/T 4937,第I篇,1. 2

GB/T 4937,第 1篇,2. 1

GB/T 4937.第I篇,1. 1

GB/T 9124.--1998

作用力一[见 GB/T 4937,第 1

【见GB/T4937.第算2.1]

10次循坏

[从 A2 和 A3 分趾中选择]

GB/T 4937,第口篇,7.3战按规定7.1

1FX:68-2-17,Qc 试验

GR/ 4937,第1篇,1. 1

IEC 747-10,

GB/T 4937,第且篇,5B

GB/T 94241998

IFC 748-11,12. 3

按规定

10次循环

严度1(125C,853HR),21

[从A2和A3分组中选摔]

Tam-125℃,条件:[见D8]

同A2,A3种A4

就B3、B4、B5和B8分组提供计数检查结巢表

周期检验

只有标有(D)的试验为破坏性试验(见IEC74710,3.6.6)。稳验或试验

C1 分组

IEC747-10

4.2.2和附录B

若无其他规定,T23T

检验要求

[见:本规范第 1 章]

无损坏

没润良好

同A2、A3和A4

检验要求

见本规范第1章

检验或试验

C2b(1)分组

最高和最低工作激度下的功能

C2b(2)分组

最商和最低工作温度下的动态

C3分组

引出端强度

C4分组

耐焊接热

录终测试

(同A2和A3)

C5分组

温度快速变化“

a)空封

温度快速变化

·电测试

·密射细检漏

·密封:粗检漏

b)非空封和环氧空封

温度快速变化

■外部月

·稳态湿热

·电测试

C6分组

稳态加速度

(适用于空封器件)

最测试

(同A2和A3)

C7分组

稳态湿热

适用丁空封器件

C8分组

电耐久性(1000h)

[同 A2,A3 和 A4)

C9分组

高溢贮存

最终测试

(同A2,A3和A4)

GB/T 17572- 1998

表(续)

若无其他规定,T=25℃

同A28

同Ade

GB/T 4937,第1篇,1. 1 和[见 GB/T 4937 第I 篇,1. 1 和1.4

GB/T 4937,第1,2. 2

GB/T 4937第且篇,1. 1

见 A2 和 A3 分组

GB/I 4937,第I 篇,7. 3 或

IEC 68-2-17,Qc 试验

GB/T 4937.第±篇,1. 1

IEC 747-10,4. 2. 1.1

GB/ 4937,第直筋.5B

见 A2 和 A3 分组

[见 GB/T 4937 第 1 篇,2. 2]

同A2和A3

10次循环

同A2和A3分

按规定

按规定

500玖循环

严酷度 1.2 h

同A2和A3

GB/T 4937,第[篇,第 5章加速度:196 000 m/g(D)

GB/T 4937,第亚第,5A

: IEC 748-2,第 V篇

CB/T 4937,第I篇,第 2 章

严醋度:且 类和 I 类为 56 d,1类21d

Temb = 125 C,

条件L.见D8]

同 A2,A3 和 A4

1 000 h,T=125 C,

同A2.A3和A4

检验要求

C11分组

抢验或试验

标志耐久性

C12分组

输入电容

CRRL分组

GB/T17572·-1998

表Ⅱ(完)

若无其他规定,Taab=25 C

GB/T4937,第篇,第2章

方满1

;就C3,C4.C5,C6.C7、CA,C9和C11分组提供计数检套结果6) 见本规范 5, 2. 1. 9,

6)连续一次成功的试验后,周期可延长为每年一次。9D组-

鉴定批准试验

D组试验应在鉴定批准后立即进行,其后一年进行一次。检验或试验

D8分组(1)

电耐久性

(加逆试验程厅,见分范12.4)

IEC748-2第V篇

7) 听示耐久性持续时间为 C组和 D组耐久性粥加时间。)执行耐久性试验的条件应按下述确定动耗.工作温度和电源电压.应按下列优先顺序作出选择a)电路上每个尚能可使用部分的平均功耗应为详细规范允许的最大值b)环境温度应在)条功耗下详细规范允许的最大值:c)电源电压应为详细规范允许的最大值,不得超过a)或b)条限制10附加资料(不用于检验)

10-1不用的输入端

【类:2 000 h\

类:3 心 h

条件”

不用的输入端可连接到适当的逻辑电平(例如:Vs或V)或一个有关的输人端。10.2瞬态能量保护

检验要求

CMOS电路在所有的输入端上都设计有保护电路,通过转移静电电荷,以减少器件输入栅氧化层损坏的可能性。输出摄可用同样的方式进行保护。可给出保护电路的电路图,例如:Vi

采用说明。

〇输山

1IEC748·24中的C12分组原为瞬态能量,为厂概念将晰,且与GB/T9424--致,现改为输人电容。GB/T 17572 -1998

通常来用的数值(实标值见详细规范):Rs=200 22 000 (标称值)

Res=10 α~~1 000 0(标称值)

BVr-- 50 V-(80 V)120 V

BVbz-20 V~~50 V

HVg-20V~50V

BVp-20V~50V

BVns =20 V~ 50 V

RVng -50 V~(80 V)120 V

BVu-20 V-~50 V

10.3作为环境温度函数的输出电流、传输延迟时间输出转换时间的变化,在详细规范中以下面所示形式给出,这单给出的曲线显示一般追势。Itai.

fpr.HifpHI

—100

-50 -250+25 +5n

tl+++uh'+..+

*在 T=25℃下的归·化值\。

10.4输出转换时间随负载电穿的变化在详细舰范中给出。

由于CMOS极小的输入电流要求,因此当驱动其他CMOS输入时实际.上对直流输出负载电容没有限制。

CMOS器件的实际扇出数受到T作频率和电容负载条件的限制。应结出电容负载对动态特性的影响。下面所示曲线给出输出转换吋间相对丁负载电容的一般趋势,它也包含了传输延退对负载电容的一般趋势。

采用说明:

[1 由丁是 Txmh=25 C: 下的归一化值,因此曲线应布 25 心下通过 1. 0。IEC 748-2-4是 0'下通过 1. 0.现子以更正。

现行

北检院检验检测中心能够参考《GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》中的检验检测项目,对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试,检测项目包含《GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》中规定的所有项目,以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测:按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享:按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析:对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4,样品前处理:对产品进行预处理后,进行样品前处理,包括样品的采集与保存,样品的提取与分离,样品的鉴定以及样品的初步分析,通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析:根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测,然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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