硅片检测

检测项目

硅片质量评价体系包含六大核心检测维度：

几何参数测量：厚度偏差（±0.5μm）、翘曲度（≤50μm）、总厚度变化（TTV＜3μm）、边缘轮廓精度

表面完整性分析：划痕（深度＞0.2μm）、颗粒污染（粒径≥0.1μm）、凹坑（直径＞5μm）、金属残留物

电学特性测试：电阻率（0.001-100Ω·cm）、载流子寿命（≥1ms）、少数载流子扩散长度

：位错密度（＜10³/cm²）、氧含量（10¹⁷ atoms/cm³）、碳浓度

机械性能验证：弯曲强度（≥200MPa）、杨氏模量（130-188GPa）

：表面金属污染（Fe＜1×10¹⁰ atoms/cm²）、有机物残留量

检测范围

本检测体系适用于以下硅片类型：

检测方法

依据SEMI标准建立的三级检测体系：

白光干涉仪：表面粗糙度Ra＜0.5nm测量精度

检测仪器

标准实验室配置的精密测量系统：

KLA-Tencor Surfscan系列

金相显微镜

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。