硅量电感耦合定量检测

检测项目

金属合金总硅含量、半导体材料表面硅层厚度、石英制品游离硅浓度、陶瓷材料晶界硅分布、光伏电池硅基杂质、地质样品硅酸盐形态分析、工业废水溶解性硅酸根、润滑油残留硅颗粒、药品辅料二氧化硅纯度、玻璃制品氧化硅配比、水泥熟料活性硅含量、煤炭灰分硅氧化物、电子级多晶硅痕量杂质、土壤有效硅测定、生物组织硅蓄积量、纳米材料硅掺杂比例、涂料添加剂硅烷含量、塑料制品有机硅迁移量、橡胶填料白炭黑分散度、冶金炉渣非晶态硅相态分析、食品添加剂二氧化硅限量、医用植入体硅胶纯度、大气颗粒物含硅组分、石油催化剂硅铝比测定、锂电池负极材料硅碳复合度、耐火材料碳化硅晶型鉴定、光纤预制棒掺杂硅浓度、微电子封装材料热导率关联硅含量、核废料固化体硅基基质稳定性评估。

检测范围

铝合金铸件、单晶硅片、石英坩埚、氧化铝陶瓷基板、太阳能电池板、花岗岩样本、电镀废水滤膜、航空发动机润滑油滤芯、片剂崩解剂粉末、钠钙玻璃瓶体、波特兰水泥熟料粉体、褐煤燃烧飞灰颗粒物、12英寸半导体晶圆件表膜层沉积物样本。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：通过高频感应线圈产生等离子体炬焰（温度6000-10000K），使样品溶液雾化后原子化并激发特征谱线（Si251.611nm），采用轴向观测模式提升检出限至0.01mg/L。

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：利用四级杆质量分析器分离28Si+同位素信号（需排除14N2+双原子离子干扰），动态反应池技术通入CH3OH消除质量数28处的干扰峰。

微波消解前处理：采用HNO3-HF混合酸体系（体积比5:1）在180℃密闭消解含硅基体样品30分钟，聚四氟乙烯罐内衬防止污染。

内标校正法：添加45Sc或72Ge作为内标元素补偿基体效应与信号漂移。

基体匹配校准：配制与待测样品酸度及主成分浓度一致的系列标准溶液。

检测标准

GB/T20975.25-2020铝及铝合金化学分析方法第25部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法测定硅含量

ISO11885:2007水质-电感耦合等离子体发射光谱法测定62种元素

ASTME1097-12电弧/火花原子发射光谱法分析金属的标准指南

JISH1630:2014钛合金的ICP发射光谱分析方法

GB/T24583.3-2019钒氮合金化学分析方法第3部分：硅含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法

EPA6020B电感耦合等离子体质谱法测定痕量元素

ISO17294-2:2016水质-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)应用

GB/T36590-2018高纯石英砂化学成分分析规程

ASTMD1976-20水中金属元素测定的电感耦合等离子体质谱标准试验方法

YS/T1075.12-2015钒铝中间合金化学分析方法第12部分：硅量的测定ICP-AES法

检测仪器

全谱直读ICP-OES系统（如PerkinElmerOptima8300）：配备中阶梯光栅分光器与CID检测器实现190-900nm全波段同步采集。

三重四极杆ICP-MS（如Agilent8900）：配置ORS4碰撞反应池消除多原子离子干扰。

微波消解工作站（MilestoneETHOSUP）：40位高压转子支持批量样品处理。

超纯水系统（Milli-QIQ7000）：提供18.2MΩcm去离子水用于试剂配制。

自动进样器（ASX-560）：XYZ三维机械臂实现连续72小时无人值守运行。

耐氢氟酸雾化室（Scott型）：铂/铱合金材质耐受HF酸雾腐蚀。

动态背景校正系统：实时扣除等离子体连续背景辐射干扰。

气溶胶稀释接口：可调稀释比设计应对高盐分样品分析。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。