基板微变形激光干涉检测

检测项目

平面度偏差：测量基板表面与理想平面的偏移量，检测参数包括整体平面度误差值（单位：μm）和区域不平整度分布图。

翘曲度变形：量化基板受热应力或机械应力导致的弯曲程度，检测参数包括最大翘曲高度（单位：μm）及曲率半径（单位：m）。

三维形貌重构：获取表面高度坐标矩阵，检测参数包含轴向分辨率（≤0.1μm）和横向扫描步进精度（≤5μm）。

局部应变分布：分析微区域形变梯度，检测参数为应变张量场（单位：με）及主应变方向角（单位：）。

热变形系数：温度循环下的尺寸稳定性测量，检测参数含线性膨胀系数（单位：ppm/℃）和瞬态变形响应曲线。

振动模态分析：基板固有频率引发的形变特征，检测参数包括共振频率点（单位：Hz）及对应振幅分布（单位：nm）。

面内位移场：测量表面标记点相对位移，检测参数为位移矢量场（精度0.02μm）和应变张量计算值。

厚度变化率：多层基板层间压合均匀性评估，检测参数为厚度公差（1μm）和区域厚度极差。

动态变形过程：记录瞬态载荷下的实时形变，检测参数含时间分辨率（≥1000fps）和位移跟踪精度（50nm）。

表面波纹度：周期性起伏特征提取，检测参数包括空间波长（10-1000μm）和波幅均方根值（单位：nm）。

微区台阶高度：测量线路或凸块结构的阶差，检测参数为台阶高度值（范围0.1-200μm）和边缘陡度角。

残余应力分布：通过形变场反演内部应力，检测参数为应力强度（单位：MPa）和梯度变化率。

检测范围

半导体晶圆：硅、碳化硅及化合物半导体衬底的热机械性能验证。

有机封装基板：ABF、BT树脂等高频基材的层压后翘曲分析。

陶瓷电路基板：氧化铝、氮化铝基板烧结后的平面度控制。

玻璃载板：显示面板用超薄玻璃的应力诱导形变监测。

金属覆铜板：铜箔与基材压合后的热膨胀匹配性评估。

柔性印刷电路：聚酰亚胺基材弯折状态下的应变分布测量。

三维封装中介层：硅通孔结构的热循环变形行为研究。

光学镜片基坯：非球面光学元件的面形精度验证。

MEMS器件基底：微结构支撑层的振动模态分析。

太阳能电池基板：晶体硅片切割后的残余应力分布检测。

溅射靶材背板：高纯金属复合结构的装配平整度控制。

真空镀膜基盘：沉积工艺中的热变形实时监控。

检测标准

ISO10110-5光学元件表面形貌公差规范

ASTMF534硅片翘曲度标准测试方法

SEMIMF657晶圆弯曲度测量规程

GB/T29552纤维增强复合材料层合板面内应变测试

IEC61189-5电子材料试验方法-基板热机械性能

JISC6485印制线路基板热膨胀系数测定

ISO1101产品几何技术规范(GPS)形状公差

ASTME2245激光干涉法测量镜面平整度

GB/T11337平面度误差检测

IPCTM-6502.4.22印制板翘曲度测试方法

检测仪器

相移激光干涉仪：通过相位调制解析波前畸变，实现纳米级面形精度测量，测量重复性≤0.02μm。

电子散斑干涉系统：利用激光散斑相关原理，实时捕捉动态变形场，位移分辨率达50nm。

白光垂直扫描干涉仪：采用宽带光源消除相位模糊，专用于阶梯高度测量，垂直分辨率1nm。

剪切干涉装置：通过波前自比较消除振动影响，适用于现场微应变检测，应变测量精度5με。

数字全息显微镜：基于离轴全息记录三维形貌，支持瞬态过程重建，时间分辨率1μs。

激光多普勒测振仪：非接触式振动形变分析，频率范围DC-25MHz，振幅分辨率0.1nm。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。